[發明專利]OLED基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201710343040.X
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN107146855A
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 楊維
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 柴亮,張天舒

1.一種OLED基板，包括：基底，設置在所述基底上的開關晶體管和驅動晶體管，其特征在于，所述開關晶體管和所述驅動晶體管的有源層的材料不同，且所述開關晶體管的有源層的電子遷移率大于所述驅動晶體管的有源層的電子遷移率。

2.根據權利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述開關晶體管的有源層的電子遷移率大于50cm²/VS；

所述驅動晶體管的有源層的電子遷移率為1～10cm²/VS。

3.根據權利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述開關晶體管的有源層的材料包括：ZnO、ZnON、IGZXO、ITZO中的任意一種；

所述驅動晶體管的有源層的材料包括IGZO或IGZTO。

4.根據權利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述開關晶體管的有源層包括依次設置在所述上方的兩層結構，其中，所述有源層的第一層結構與所述驅動晶體管的有源層同層設置且材料相同。

5.一種OLED基板的制備方法，其特征在于，包括：通過構圖工藝，在基底上形成包括開關晶體管的有源層和驅動晶體管的有源層圖形的步驟；其中，所述開關晶體管和所述驅動晶體管的有源層的材料不同，且所述開關晶體管的有源層的電子遷移率大于所述驅動晶體管的有源層的電子遷移率。

6.根據權利要求5所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述通過構圖工藝，在基底上形成包括開關晶體管的有源層和驅動晶體管的有源層的圖形的步驟，具體包括：

在基底上，形成第一半導體材料層，并通過構圖工藝形成包括所述驅動晶體管的有源層的圖形；

在完成上述步驟的基底上，形成第二半導體材料層，并通過構圖工藝形成包括所述開關晶體管的有源層的圖形；

或者，

在基底上，形成第二半導體材料層，并通過構圖工藝形成包括所述開關晶體管的有源層的圖形；

在完成上述步驟的基底上，形成第一半導體材料層，并通過構圖工藝形成包括所述驅動晶體管的有源層的圖形。

7.根據權利要求5所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述通過構圖工藝，在基底上形成包括開關晶體管的有源層和驅動晶體管的有源層的步驟，具體包括：

在基底上依次沉積第一半導體材料層和第二半導體材料層，并在所述第二半導體材料層上方涂覆光刻膠層；

對所述光刻膠層進行不同精度的曝光、顯影，形成光刻膠保留區、光刻膠半保留區、光刻膠完全去除區；其中，所述光刻膠保留區與待形成的所述開關晶體管的有源層的位置對應，所述光刻膠半保留區與待形成的所述驅動晶體管的有源層的位置對應；

去除位于所述光刻膠完全去除區的光刻膠，以及位于所述光刻膠半保留區的部分光刻膠，以使所述光刻膠半保留區剩余光刻膠的厚度為第一厚度；

依次去除與所述光刻膠完全去除區對應的第二半導體材料層和第一半導體材料層；

去除第一厚度的光刻膠；

去除與所述光刻膠半保留區對應的第二半導體材料層，以形成所述驅動晶體管的有源層；

去除剩余的光刻膠，以形成所述開關晶體管的有源層。

8.根據權利要求5所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述開關晶體管的有源層的電子遷移率大于50cm²/VS；

所述驅動晶體管的有源層的電子遷移率為1～10cm²/VS。

9.根據權利要求5所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述開關晶體管的有源層的材料包括：ZnO、ZnON、IGZXO、ITZO中的任意一種；

所述驅動晶體管的有源層的材料包括IGZO或IGZTO。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-3中任一項所述的OLED基板。