[發(fā)明專利]一種電感耦合等離子體刻蝕設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710342783.5
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN107195525B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發(fā)明（設計）人: 毛朝斌;陳特超;舒勇東;胡凡;羅超;范江華
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008
• 代理人: 周長清;徐好

1.一種電感耦合等離子體刻蝕設備，包括反應腔室(1)，其特征在于：還包括快速無擾動氣體注入裝置和尾氣處理裝置(2)，所述快速無擾動氣體注入裝置包括相互獨立的刻蝕氣體注入組件(3)和側(cè)壁沉積氣體注入組件(4)，所述刻蝕氣體注入組件(3)和所述側(cè)壁沉積氣體注入組件(4)均包括進氣管(100)和兩路注入管(200)，所述進氣管(100)通過一路所述注入管(200)與所述反應腔室(1)連通，并通過另一路注入管(200)與所述尾氣處理裝置(2)連通，所述反應腔室(1)的頂部設有勻流頂蓋(11)，所述勻流頂蓋(11)上設有第一導流環(huán)(111)、一對第一連接管(112)及多條第一導流槽(113)，一對第一連接管(112)對稱布置于所述第一導流環(huán)(111)兩側(cè)，刻蝕氣體注入組件(3)的注入管(200)通過一對第一連接管(112)與第一導流環(huán)(111)連通，多條第一導流槽(113)平行等距布置于第一導流環(huán)(111)內(nèi)且各第一導流槽(113)兩端均與第一導流環(huán)(111)連通，各第一導流槽(113)底部開設有多個第一進氣孔(114)，多個所述第一進氣孔(114)沿第一導流槽(113)長度方向均勻布置，所述勻流頂蓋(11)上還設有第二導流環(huán)(121)、一對第二連接管(122)及多條第二導流槽(123)，一對第二連接管(122)對稱布置于所述第二導流環(huán)(121)兩側(cè)，側(cè)壁沉積氣體注入組件(4)的注入管(200)通過一對第二連接管(122)與第二導流環(huán)(121)連通，多條第二導流槽(123)平行等距布置于第二導流環(huán)(121)內(nèi)且各第二導流槽(123)兩端均與第二導流環(huán)(121)連通，各第二導流槽(123)底部開設有多個第二進氣孔(124)，多個所述第二進氣孔(124)沿第二導流槽(123)長度方向均勻布置，所述第一導流環(huán)(111)和所述第一導流槽(113)設于所述勻流頂蓋(11)上部，所述第二導流環(huán)(121)和所述第二導流槽(123)設于所述勻流頂蓋(11)底面，所述勻流頂蓋(11)底面與所述第二導流槽(123)對應處設有朝下布置的凸起(131)，所述第二進氣孔(124)設于所述凸起(131)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感耦合等離子體刻蝕設備，其特征在于：所述進氣管(100)上設有流量控制閥(101)和第一開關(guān)閥(102)，所述注入管(200)上設有第二開關(guān)閥(201)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感耦合等離子體刻蝕設備，其特征在于：所述流量控制閥(101)為質(zhì)量流量控制器，所述第一開關(guān)閥(102)和所述第二開關(guān)閥(201)均為氣動閥。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的電感耦合等離子體刻蝕設備，其特征在于：多條所述第一導流槽(113)和多條所述第二導流槽(123)依次間隔布置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的電感耦合等離子體刻蝕設備，其特征在于：所述勻流頂蓋(11)為上中下三層結(jié)構(gòu)。