[發(fā)明專利]發(fā)光功率穩(wěn)定的光模塊和光通信設(shè)備

在審

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• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN107332620A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 左瑜
• 申請（專利權(quán)）人: 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
• 主分類號: H04B10/50
• 分類號: H04B10/50;H04B10/40;H04B10/079;H04B10/564
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光功率穩(wěn)定的光模塊，其特征在于，包括：

紅外LED(10)，用于在驅(qū)動電流的作用下生成紅外光；

光傳感電路(11)，電連接所述紅外LED(10)，用于測量所述紅外LED(10)的發(fā)光功率，并生成與所述發(fā)光功率相匹配的光電流；

反饋調(diào)節(jié)電路(12)，電連接所述紅外LED(10)和所述光傳感電路(11)，用于接收所述光電流后經(jīng)處理生成所述驅(qū)動電流以調(diào)節(jié)所述紅外LED(10)的發(fā)光。

2.如權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，還包括：

溫度傳感器(20)，用于監(jiān)測所述光模塊的處理器(30)的第一溫度；

處理器(30)，電連接所述溫度傳感器(20)，用于根據(jù)所述第一溫度確定第二溫度，以使所述反饋調(diào)節(jié)電路(12)根據(jù)所述第二溫度生成所述驅(qū)動電流。

3.如權(quán)利要求2所述的光模塊，其特征在于，還包括存儲器(40)，所述存儲器(40)電連接所述處理器(30)，用于存儲第一匹配表，所述第一匹配表指示所述第一溫度與所述第二溫度的匹配關(guān)系。

4.如權(quán)利要求3所述的光模塊，其特征在于，所述存儲器(40)還用于存儲第二匹配表，所述第二匹配表指示所述第二溫度與所述驅(qū)動電路的匹配關(guān)系。

5.如權(quán)利要求3所述的光模塊，其特征在于，所述紅外LED(10)包括LED芯片(1001)、基板(1002)、透鏡(1003)、金絲(1004)及樹脂材料(1005)；其中，

所述LED芯片(1001)位于所述基板(1002)的中間凹槽部分處；

所述金絲(1004)的兩端分別連接所述基板(1002)上的金屬線和所述LED芯片(1001)；

所述透鏡(1003)位于所述基板(1002)上且與所述基板(1002)固定連接；

所述樹脂材料(1005)位于所述基板(1002)與所述透鏡(1003)形成的空腔之中。

6.如權(quán)利要求5所述的光模塊，其特征在于，所述紅外LED(10)的發(fā)光波長為1550nm～1650nm。

7.如權(quán)利要求5所述的光模塊，其特征在于，所述LED芯片(1001)的LED器件包括：襯底(101)、P型晶化Ge層(102)、本征Ge層(103)、N型Ge層(104)及鈍化層(105)；

其中，所述P型晶化Ge層(102)、所述本征Ge層(103)、所述N型Ge層(104)和所述鈍化層(105)依次層疊于所述襯底(101)上。

8.如權(quán)利要求7所述的光模塊，其特征在于，所述LED器件還包括正電極(106)和負(fù)電極(107)，所述正電極(106)和所述負(fù)電極(107)分別連接所述P型晶化Ge層(102)和所述N型Ge層(104)。

9.如權(quán)利要求8所述的光模塊，其特征在于，所述正電極(106)和所述負(fù)電極(107)均為Cr-Au合金材料。

10.一種光通信設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的光模塊。