[發明專利]半導體芯片和用于制造半導體芯片的方法

在審

• 申請號: 201710339986.9
• 申請日: 2017-05-15
• 公開（公告）號: CN107394583A
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 艾爾弗雷德·萊爾;安德烈亞斯·萊夫勒;克里斯托夫·艾希勒;貝恩哈德·施托耶茨;安德烈·佐默斯
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01S5/32
• 分類號: H01S5/32;H01S5/34
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,張春水

1.一種半導體芯片(100)，所述半導體芯片具有第一半導體層(1)，所述第一半導體層沿著至少一個延伸方向具有材料組成的橫向變化，其中所述第一半導體層(1)具有保持不變的厚度。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片(100)，其中

-所述第一半導體層(1)具有至少一個第一區域(11)和至少一個橫向地與所述第一區域相鄰的第二區域(12)；

-所述第一區域(11)和所述第二區域(12)具有相同的材料體系；并且

-所述第一區域(11)的材料組成不同于所述第二區域(12)的材料組成，其中所述第一區域(11)和所述第二區域(12)具有相同的厚度。

3.根據權利要求2所述的半導體芯片(100)，其中

-所述半導體芯片(100)構成為激光二極管芯片并且具有棱面，在運行時經由所述棱面放射光；

-所述第二區域(12)構成為棱面區域，所述棱面區域鄰接于所述棱面并且位于所述棱面和所述第一區域(11)之間。

4.根據權利要求2或3所述的半導體芯片(100)，其中

-所述半導體芯片(100)構成為激光二極管芯片并且具有激光器條，在運行時在所述激光器條中產生光；

-所述第一區域(11)在所述激光器條的區域中構成；并且

-所述第二區域(12)在所述激光器條旁邊兩側構成。

5.根據權利要求2所述的半導體芯片(100)，其中

-所述半導體芯片(100)構成為發光二極管芯片并且具有至少部分地構成為焊盤的接觸層(4)；并且

-所述第二區域(12)設置在所述焊盤下方。

6.根據權利要求5所述的半導體芯片(100)，其中

-所述接觸層(4)具有載流片；并且

-所述第二區域(12)在所述載流片下方構成。

7.根據權利要求5或6所述的半導體芯片(100)，其中

-所述半導體芯片(100)構成為發光二極管芯片；并且

-所述第二區域(12)沿橫向方向包圍所述第一區域(11)并且環繞地鄰接于所述半導體芯片(100)的邊緣。

8.根據權利要求2至7中任一項所述的半導體芯片(100)，

其中在所述第一區域和所述第二區域(11，12)中的材料組成選擇成，使得在所述第二區域(12)中的帶距大于在所述第一區域(11)中的帶距。

9.根據權利要求2至7中任一項所述的半導體芯片(100)，

其中在所述第一區域和所述第二區域(11，12)中的材料組成選擇成，使得在所述第二區域(12)中的帶距小于在所述第一區域(11)中的帶距。

10.根據上述權利要求中任一項所述的半導體芯片(100)，

其中所述第一半導體層(1)是有源層的至少一部分。

11.根據上述權利要求中任一項所述的半導體芯片(100)，

其中所述第一半導體層(1)基于材料體系InAlGaN，并且為了所述材料組成的橫向變化而改變In含量。

12.根據上述權利要求中任一項所述的半導體芯片(100)，

其中所述材料組成的橫向變化至少部分地具有階梯狀的變化曲線。

13.根據上述權利要求中任一項所述的半導體芯片(100)，

其中所述材料組成的橫向變化至少部分地具有連續的變化曲線。

14.一種用于制造根據權利要求1至13中任一項所述的半導體芯片(100)的方法，其中在用于生長所述第一半導體層(1)的生長工藝期間，沿著生長的所述第一半導體層(1)的至少一個延伸方向產生不均勻的橫向溫度分布，使得建立所述第一半導體層(1)的材料組成的橫向變化。

15.根據權利要求14所述的方法，

其中有針對性地至少部分地通過局部變化的光輻照(300)產生不均勻的橫向溫度分布。

16.根據權利要求14或15所述的方法，

其中有針對性地至少部分地通過溫度分布結構(7)產生不均勻的橫向溫度分布，所述溫度分布結構(7)具有至少一個溫度分布結構元件(70)，所述溫度分布結構元件引起生長的所述第一半導體層(1)的溫度的局部的升高或降低。