[發明專利]一種神經刺激電極及其制造方法

有效

• 申請號: 201710339961.9
• 申請日: 2017-05-15
• 公開（公告）號: CN107224666B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 於廣軍;楊旭燕;王偉;楊佳威
• 申請（專利權）人: 杭州暖芯迦電子科技有限公司
• 主分類號: A61N1/05
• 分類號: A61N1/05;B81B7/02
• 代理公司: 蘇州彰尚知識產權代理事務所(普通合伙) 32336
• 代理人: 潘劍

1.一種神經刺激電極制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：對半導體襯底進行擴散摻雜處理，使其正背面良性導通；

S2：然后在所述半導體襯底的正面刻蝕出電極陣列結構；

S3：向所述電極陣列結構的溝槽內填充玻璃；

S4：再將所述半導體襯底的正面與一襯片鍵合；

S5：接著對所述半導體襯底的背面進行減薄，直至完全露出所述電極陣列結構中的玻璃下表面為止；

S6：再對所述半導體襯底的背面進行金屬電極圖形化；

S7：最終將所述半導體襯底與襯片剝離，形成神經刺激電極。

2.如權利要求1所述的神經刺激電極制造方法，其特征在于，在步驟S1中，所述半導體襯底通過P或B擴散摻雜使其正背面良性導通，所述電極陣列結構整體可均勻間隔設置、不規則排布或兩者結合。

3.如權利要求1所述的神經刺激電極制造方法，其特征在于，所述步驟S2具體為：在所述半導體襯底的正面旋涂光刻膠層，再通過曝光和顯影工藝形成電極陣列圖形，接著對所述電極陣列圖形進行深槽刻蝕，形成電極陣列結構。

4.如權利要求1-3任一項所述的神經刺激電極制造方法，其特征在于，所述步驟S3具體為：在所述半導體襯底正面，通過絲網印刷或SOG涂布工藝在電極陣列結構間的溝槽中填充玻璃。

5.如權利要求4所述的神經刺激電極制造方法，其特征在于，在所述步驟S3 中，玻璃填充后，通過氫氟酸漂洗工藝對所述玻璃進行刻蝕處理，露出電極陣列結構中的凸出刺激電極。

6.如權利要求5所述的神經刺激電極制造方法，其特征在于，還可對所述凸出刺激電極進行邊角圓滑處理，所述邊角圓滑處理具體為：通過CF₄/O₂混合氣體各向同性刻蝕一定時間；再對所述凸出刺激電極表面進行電鍍或濺射生物相容性金屬處理。

7.如權利要求1所述的神經刺激電極制造方法，其特征在于，所述步驟S4具體為：在所述半導體襯底與襯片上的結合面的其中一面或兩面形成粘合層，將所述半導體襯底和所屬襯片粘合在一起。

8.如權利要求1所述的神經刺激電極制造方法，其特征在于，所述步驟S6具體為：對所述半導體襯底的背面進行金屬濺射形成金屬表面，在所述金屬表面旋涂光刻膠，并通過曝光和顯影工藝打開所需去除區域，通過濕法腐蝕或干法刻蝕工藝去除金屬層，并去除表面光刻膠，形成金屬電極。

9.如權利要求1所述的神經刺激電極制造方法，其特征在于，所述步驟S6還可為：對所述半導體襯底的背面進行旋涂負性光刻膠或反轉膠，曝光顯影形成倒角結構，然后濺射金屬形成金屬表面，再采用化學液剝離的方法，形成金屬電極。

10.如權利要求1所述的神經刺激電極制造方法，其特征在于，所述步驟S7具體為：對所述半導體襯底進行加熱處理，將襯片與所述半導體襯底分離，加熱時的溫度范圍為150～300℃。

11.如權利要求7-10任一項所述的神經刺激電極制造方法，其特征在于，所述半導體襯底為硅襯底，其厚度為100～1000μm。

12.一種采用權利要求1-11任一項所述神經刺激電極制造方法制造的神經刺激電極，其特征在于，包括電極陣列結構，所述電極陣列結構包括陣列分布的電極襯底，每個所述電極襯底的正面設置有凸出刺激電極，每個所述電極襯底背面形成金屬電極，所述電極襯底之間填充玻璃固定及絕緣。