[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710339635.8
• 申請日: 2017-05-15
• 公開（公告）號: CN107195549B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 宮奎;張俊;許徐飛
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李莎;李弘

1.一種薄膜晶體管的制作方法，所述薄膜晶體管包括源極和有源區，其特征在于，所述有源區的制作方法包括：

形成有源層；

在所述有源層上形成光刻膠掩膜層，所述光刻膠掩膜層包括光刻膠半保留區和光刻膠完全保留區，所述光刻膠半保留區形成在所述光刻膠完全保留區的兩側；形成有所述光刻膠半保留區的所述光刻膠完全保留區的兩個側邊，是與所述源極的軸線垂直的兩個側邊；

以所述光刻膠掩膜層為抗刻蝕層，刻蝕所述有源層，得到預成形有源區；

去除所述光刻膠半保留區；

以所述光刻膠完全保留區為抗刻蝕層，刻蝕所述預成形有源區，得到所述有源區，所述有源區的坡道角小于所述預成形有源區的坡道角。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述光刻膠半保留區環繞所述光刻膠完全保留區。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述有源層上形成光刻膠掩膜層，包括：

在所述有源層上形成光刻膠層；

采用半色調掩膜版對所述光刻膠層進行曝光；

顯影得到所述光刻膠掩膜層。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蝕所述有源層和/或刻蝕所述預成形有源區，采用的是干法刻蝕工藝；和/或，所述去除所述光刻膠半保留區，采用的是灰化工藝。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成有源層之前，還包括：

在基底上依次形成柵極和柵極絕緣層。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述得到所述有源區之后，還包括：

形成源極和漏極；

形成鈍化層；

在所述鈍化層中形成過孔；

形成像素電極，所述像素電極通過所述過孔與漏極電連接。

7.一種薄膜晶體管，其特征在于，采用如權利要求1-6任一項所述的薄膜晶體管的制作方法制得。

8.根據權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管適用于細線化技術。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求7或8所述的薄膜晶體管的陣列。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求9所述的陣列基板。