[發明專利]實時去除微弧氧化槽液沉淀的裝置有效
| 申請號: | 201710339192.2 | 申請日: | 2017-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN107119303B | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發明(設計)人: | 王劍;何明洋;黃帥 | 申請(專利權)人: | 西華大學 |
| 主分類號: | C25D11/02 | 分類號: | C25D11/02;C25D21/06 |
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| 地址: | 610039 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 去除 微弧氧化槽 沉淀的 清潔循環系統 氧化槽 沉淀 超聲波發生器 槽液 成膜 電化學 膜層性能 微弧氧化 陽極氧化 波紋管 超聲波 過濾管 環形管 回流管 進液管 冷卻桶 盛放槽 提升槽 循環泵 延長槽 均一 液面 漂浮 保證 | ||
本發明涉及去除沉淀的裝置,尤其涉及一種實時去除微弧氧化槽液沉淀的裝置。一種實時去除微弧氧化槽液沉淀的裝置,包括:氧化槽、超聲波發生器、清潔循環系統;所述氧化槽用于盛放槽液,并作為微弧氧化發生的場所;所述超聲波發生器置于所述氧化槽的外底部,用于產生超聲波,使槽液沉淀漂浮于液面;所述清潔循環系統用于去除槽液沉淀,所述清潔循環系統包括:進液管、過濾管、濾集盒、波紋管、環形管、冷卻桶、循環泵、回流管。本發明設計的裝置可實時去除微弧氧化槽液沉淀,提升槽液穩定性,延長槽液壽命,保證膜層性能均一。本發明涉及的裝置也適合陽極氧化、化學成膜及電化學成膜。
技術領域
本發明涉及去除沉淀的裝置,尤其涉及一種實時去除微弧氧化槽液沉淀的裝置。
背景技術
微弧氧化,又稱微等離子氧化,是通過改變電源參數及槽液組分,在鎂、鋁、鈦及其合金表面弧光放電,產生瞬時高溫,使其表面形成一層金屬氧化物陶瓷層的表面技術。此膜層具有硬度高、膜層厚及耐腐蝕的特性;同時,微弧氧化工藝簡單、清潔環保,故在航空航天、兵器制造及電子產業方面得到廣泛應用。
然而,微弧氧化時,基體中金屬元素會以離子的形式溶入槽液,與槽液中陰離子反應形成膠體沉淀,隨著氧化的進行,槽液中膠體沉淀增多并發生沉聚,使槽液渾濁失效,大幅降低槽液壽命。槽液中沉淀以非晶態居多,其使槽液黏度增大;當槽液黏度達到一定程度,反應物和反應副產物在槽液中的擴散系數降低,傳質速度降低,槽液電導率降低,導致槽液穩定性較差,膜層性能不均。
針對上述問題,目前主要的解決方案有兩種:一是通過過濾去除沉淀,起到一定的效果,但結構復雜、工藝繁多,且僅能用于實驗條件,不易在大規模生產中推廣應用;二是槽液中添加穩定劑(如:乙二胺四乙酸、十二烷基苯磺酸鈉),穩定劑的引入提升了槽液穩定性,但穩定劑的添加給槽液帶來了新的離子,破壞了原槽液的離子活性,導致膜層性能不均。故,如何及時有效去除微弧氧化槽液沉淀是目前微弧氧化技術中迫切需要解決的問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種實時去除微弧氧化槽液沉淀的裝置,這種裝置可及時有效去除微弧氧化過程中槽液產生的沉淀,提升槽液的穩定性,延長槽液的壽命,保證膜層性能的均一。
本發明通過以下技術方案解決上述技術問題。
一種實時去除微弧氧化槽液沉淀的裝置,包括:
氧化槽,所述氧化槽用于盛放槽液,并作為微弧氧化發生的場所;
超聲波發生器,所述超聲波發生器置于所述氧化槽的外底部,用于產生超聲波,使槽液沉淀漂浮于液面;
清潔循環系統,所述清潔循環系統用于去除槽液沉淀。
所述清潔循環系統包括:進液管、過濾管、濾集盒、波紋管、環形管、冷卻桶、循環泵、回流管。
所述進液管材質為耐酸堿高分子材料,所述進液管的下端設置喇叭口,所述喇叭口置于液面上方。
所述過濾管材質為耐酸堿高分子材料,所述過濾管的中部設置垂直等徑相貫管道,所述管道內壁設置內螺紋,用于連接所述濾集盒;所述過濾管與所述進液管之間為法蘭連接。
所述濾集盒包括:一級濾集盒、二級濾集盒;所述一級濾集盒與所述二級濾集盒上部均為圓柱,所述圓柱外壁設置外螺紋,用以連接所述過濾管;所述一級濾集盒下部設置過濾網,所述二級濾集盒下部設置半透膜;所述一級濾集盒與所述二級濾集盒底部均設置集渣板,所述集渣板用于收集過濾后的沉淀;所述一級濾集盒與所述二級濾集盒整體材質均為耐酸堿高分子材料;所述一級濾集盒和所述二級濾集盒與所述過濾管之間均為螺紋連接。
所述波紋管材質為耐酸堿高分子材料,所述波紋管與所述過濾管之間為法蘭連接,所述波紋管可使所述進液管的喇叭口在整個槽液液面進行移動。
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