[發明專利]一種IGBT模塊特性老化裝置

有效

• 申請號: 201710338378.6
• 申請日: 2017-05-15
• 公開（公告）號: CN107024649B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 顧扣宏;吳行竹;吳鷹
• 申請（專利權）人: 揚州喬恒電子有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 張淏

本發明公開了一種IGBT模塊特性老化裝置，屬于IGBT老化設備技術領域，解決了我國自主生產的IGBT元件沒有一款配套的、可靠的、低成本的老化設備，生產出的IGBT產品可靠性難以得到保證的問題。主要包括IGBT反向漏電流測試電路和大電流老化試驗電路。本發明在IGBT生產領域具有重要意義，其低成本、高可靠性為整個行業創造了可觀經濟效益，且實現容易，實用性很強，可廣泛應用于IGBT生產技術領域。

技術領域

本發明屬于IGBT老化設備技術領域，具體地說，尤其涉及一種IGBT模塊特性老化裝置。

背景技術

IGBT為絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。為節省空間，一般將兩個或兩個以上的IGBT元件綜合在一起。一直以來我國IGBT模塊多依賴于進口，購進成本很高，但應用商不得不購買，原因在于：我國自主生產的IGBT元件沒有一款配套的、可靠的、低成本的老化設備，生產出的IGBT產品可靠性難以得到保證。

發明內容

本發明的目的是針對現有技術存在的不足，提供了一種可以進行反向漏電流測試、老化大電流測試的低成本IGBT模塊特性老化裝置。

本發明是通過以下技術方案實現的：

一種IGBT模塊特性老化裝置，包括由主控電路單元、電氣控制配電線路單元、高壓發生電路單元、觸發電路單元、待測IGBT模塊組、反向漏電流檢測電路單元以及故障顯示燈單元構成的IGBT反向漏電流測試電路；由所述主控電路單元、所述電氣控制配電線路單元、所述待測IGBT模塊組、所述觸發電路單元、大電流產生電路單元、電流變送器、電壓變送器以及顯示電路單元構成的大電流老化試驗電路；

所述主控電路單元經電氣控制配電線路單元與所述高壓發生電路單元、大電流產生電路單元電信號相連，所述高壓發生電路單元產生高直流電壓，并將該高直流電壓傳輸至所述待測IGBT模塊組，同時所述待測IGBT模塊組由所述觸發電路單元觸發導通，所述待測IGBT模塊組經所述反向漏電流檢測電路單元與所述主控電路單元電信號相連，所述主控電路單元判斷檢測到的IGBT元件反向漏電流值是否合格，并通過所述故障顯示燈單元顯示；

所述大電流產生電路單元與所述待測IGBT模塊組電信號相連，所述待測IGBT模塊組由所述觸發電路單元觸發導通，觸發導通后經限流電阻形成大電流老化測試回路；該主回路上還設有電流變送器、電壓變送器，所述電流變送器、電壓變送器將測試回路上的高壓、大電流轉換成低壓直流信號，并將該低壓直流信號傳輸至所述主控電路單元，由所述主控電路單元經所述顯示電路單元顯示老化電壓、老化電流數值。

優選地，所述IGBT模塊特性老化裝置上設有溫度傳感器，所述溫度傳感器將檢測到的溫度信號反饋到所述主控電路單元，所述主控電路單元控制降溫風扇組執行單元執行風扇動作，由所述降溫風扇執行單元對所述待測IGBT模塊組進行降溫。

優選地，所述電氣控制配電線單元包括220V輸入電源、啟動按鈕SW1、手動停止按鈕SW2、交流接觸器K1、交流接觸器K3以及交流接觸器K4，所述交流接觸器K1為主交流接觸器；所述交流接觸器K3為高壓發生電路交流接觸器，由所述主控電路單元控制其接通或斷開所述高壓發生電路單元；所述交流接觸器K4為大電流產生電路交流接觸器，由所述主控電路單元控制其接通或斷開所述大電流產生電路單元。

優選地，所述電氣控制配電線路單元還設有延時電路。