[發明專利]一種高發光效率的量子點白光LED及其制備方法有效
| 申請號: | 201710338296.1 | 申請日: | 2017-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN106972092B | 公開(公告)日: | 2018-07-03 |
| 發明(設計)人: | 羅小兵;謝斌;程焱華;舒偉程;張曉鈺;王超凡;余興建 | 申請(專利權)人: | 華中科技大學 |
| 主分類號: | H01L33/52 | 分類號: | H01L33/52;H01L33/56;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人: | 梁鵬;曹葆青 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 量子點 白光LED 高發光效率 硅納米 熒光粉膠 基板 制備 熒光粉 節約生產成本 發光光譜 發光效率 固定設置 基板表面 透光殼體 直接安裝 封裝膠 空隙處 模塑料 球密封 透光殼 附著 填充 發光 體內 | ||
1.一種高發光效率的量子點白光LED,其特征在于,其包括基板(101)、透光殼體(109)、以及設置在基板(101)上的LED芯片(105)和量子點硅納米球(106),其中:
所述LED芯片(105)固定設置在基板(101)表面,所述量子點硅納米球(106)附著在所述LED芯片(105)的上表面,該量子點硅納米球(106)上方點涂有熒光粉膠(107),所述熒光粉膠(107)將所述量子點硅納米球(106)和LED芯片(105)完全包裹住,所述量子點硅納米球的粒徑為20nm~50nm,發光波長為600nm~700nm,該量子點硅納米球為核殼結構顆粒,該核殼結構顆粒的核層為硒化鎘、硫硒化鎘、磷化銦、銅銦硫或鈣鈦礦中的一種或多種,該核殼結構顆粒的殼層為無定型氧化硅;
所述透光殼體(109)直接安裝在基板(101)上或通過一模塑料(102)固定在基板(101)上方,并將所述熒光粉膠(107)、LED芯片(105)和量子點硅納米球(106)密封在內,所述透光殼體(109)內的空隙處填充有封裝膠(108)。
2.如權利要求1所述的量子點白光LED,其特征在于,通過在所述模塑料(102)上設置引線框架(103),所述LED芯片(105)通過金線(104)及引線框架(103)實現電連接;或者通過將所述基板(101)中間設置銅柱(110),所述LED芯片(105)固定在該銅柱(110)上實現電連接。
3.如權利要求1或2所述的量子點白光LED,其特征在于,所述透光殼體(109)的材料為聚甲基丙烯酸甲酯,聚碳酸酯或玻璃,其透光率大于90%;所述透光殼體(109)的形狀為半球形或球冠形,其內表面的直徑為1mm~20mm,內表面的高度為1mm~20mm。
4.如權利要求3所述的量子點白光LED,其特征在于,所述熒光粉膠(107)中的熒光粉為YAG或TAG,所述熒光粉膠(107)使用的膠材為硅膠、環氧樹脂或液態玻璃,所述封裝膠(108)為硅膠、環氧樹脂或液態玻璃。
5.如權利要求4所述的量子點白光LED,其特征在于,所述LED芯片(105)為垂直電極芯片或水平電極芯片,其襯底為藍寶石或硅。
6.一種高發光效率的量子點白光LED的制備方法,其特征在于,具體包括以下步驟:
S1.將LED芯片(105)固定在基板(101)上并完成電路連接,然后將量子點硅納米球水溶液點涂在LED芯片(105)上方,加熱使水溶液中的溶劑完全揮發,在LED芯片(105)表面形成量子點硅納米球(106);所述量子點硅納米球的粒徑為20nm~50nm,發光波長為600nm~700nm,該量子點硅納米球為核殼結構顆粒,該核殼結構顆粒的核層為硒化鎘、硫硒化鎘、磷化銦、銅銦硫或鈣鈦礦中的一種或多種,該核殼結構顆粒的殼層為無定型氧化硅;
S2.將熒光粉膠(107)點涂在量子點硅納米球(106)上方,并加熱使熒光粉膠(107)固化,固化后的熒光粉膠(107)將量子點硅納米球(106)和LED芯片(105)完全包裹在內;
S3.將透光殼體(109)開口朝下放置,固定安裝在基板(101)上或固定安裝在基板(101)上方的模塑料(102)內;
S4.在所述透光殼體(109)的空隙處填充封裝膠(108),待封裝膠(108)固化后即制備得到所述量子點白光LED。
7.如權利要求6所述的制備方法,其特征在于,在步驟S1中,所述量子點硅納米球水溶液的涂覆厚度為20nm~150mm,加熱溫度為80-120度。
8.如權利要求6或7所述的制備方法,其特征在于,在步驟S2中,所述熒光粉膠(107)的點涂體積為2ul~20ul,加熱溫度為100℃~150℃。
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