[發明專利]一種具有非極性吸收層的紫外探測器

有效

• 申請號: 201710338137.1
• 申請日: 2017-05-15
• 公開（公告）號: CN107240615B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 張雄;代倩;吳自力;崔一平
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/109
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 王安琪

1.一種具有非極性吸收層的紫外探測器，其特征在于，包括：自下而上依次設置的襯底(101)、AlN中間層(102)、非摻雜AlGaN緩沖層(103)、n型AlGaN層(104)、非極性Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱吸收分離層(105)、非摻雜Al_zGa_1-zN倍增層(106)、p型AlGaN層(107)，在p型AlGaN層(107)上設置的p型歐姆電極108，在n型AlGaN層(104)上設置的n型歐姆電極(109)，其中0<x<y<z<1。

2.如權利要求1所述的具有非極性吸收層的紫外探測器，其特征在于，所述非極性Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱吸收分離層(105)材料為(11-20)、(10-10)面非極性面材料。

3.如權利要求1所述的具有非極性吸收層的紫外探測器，其特征在于，所述襯底(101)為極性、半極性、非極性取向的藍寶石、碳化硅、硅、氧化鋅、氮化鎵、氮化鋁材料。

4.如權利要求1所述的具有非極性吸收層的紫外探測器，其特征在于，所述AlN中間層(102)的厚度為15-5000nm，非摻雜AlGaN緩沖層(103)的厚度為50-5000nm，n型AlGaN層(104)的厚度為200-5000nm，非極性Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱吸收分離層(105)的Al_xGa_1-xN量子阱的阱寬為1-10nm，Al_yGa_1-yN勢壘的壘厚為1-30nm，重復周期數為3-50，非摻雜Al_zGa_1-zN倍增層(106)的厚度為100-250nm，p型AlGaN層(107)的厚度為50-500nm。

5.如權利要求1所述的具有非極性吸收層的紫外探測器，其特征在于，所述非極性Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱吸收分離層(105)和非摻雜Al_zGa_1-zN倍增層(106)中Al組分的關系滿足：0<x<y<z<1。

6.如權利要求1所述的具有非極性吸收層的紫外探測器，其特征在于，所述非摻雜Al_zGa_1-zN倍增層(106)為單層AlGaN外延層結構，或是AlGaN/AlGaN量子阱結構，其中量子阱的阱寬為1-10nm，壘厚為5-30nm，重復周期數為3-50。

7.如權利要求1所述的具有非極性吸收層的紫外探測器，其特征在于，所述p型歐姆電極(108)和n型歐姆電極(109)的材料為Ni、Al、Au、Ag或Ti中的任何一種金屬或由以上多種金屬構成的合金材料。