[發明專利]電子裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201710337523.9
• 申請日: 2017-05-15
• 公開（公告）號: CN108630624A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 韓意書;李泰勇;柳智妍
• 申請（專利權）人: 艾馬克科技公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司 11408
• 代理人: 林柳岑

電子裝置及其制造方法。本發明涉及一種電子裝置，其包含訊號分布結構，其具有頂側和底側；第一電子組件，其耦合至訊號分布結構的頂側；第二電子組件，其耦合至訊號分布結構的頂側；導電屏蔽構件，其耦合至訊號分布結構的頂側且被直接地定位在第一電子組件和第二電子組件之間；囊封材料，其覆蓋訊號分布結構的頂側的至少一部分、第一電子組件和第二電子組件的橫向側的至少一部分及導電屏蔽構件的橫向側的至少一部分；及電磁干擾(EMI)屏蔽層，其在囊封材料的頂側及導電屏蔽構件的頂側上，其中電磁干擾屏蔽層電性地耦合至導電屏蔽構件的頂側。本揭露的各種態樣提供包含一個或多個導電屏蔽構件和EMI屏蔽層的一種半導體裝置，以及其制造方法。

技術領域

本發明關于一種電子裝置及其制造方法。

背景技術

目前的半導體裝置及制造半導體裝置的方法是不足的，例如會導致制造過程太耗時及/或太昂貴、會導致半導體封裝具有不可靠連接及/或互連結構具有次優的尺寸…等等。經由比較習知和傳統方法與如在本申請的其余部分中參看圖式闡述的本發明的一些態樣，習知和傳統方法的進一步限制和缺點將對本領域的技術人士變得顯而易見。

發明內容

本揭露的各種態樣提供一種半導體裝置和制造半導體裝置的方法。作為非限制性的范例，本揭露的各種態樣提供包含一個或多個導電屏蔽構件和EMI屏蔽層的一種半導體裝置以及其制造方法。

本發明的一態樣為一種制造電子裝置的方法，所述方法包含：形成導電屏蔽構件于載體的頂側上；附接第一電子組件到所述載體的所述頂側；附接第二電子組件到所述載體的所述頂側，其中所述導電屏蔽構件被直接橫向地定位在所述第一電子組件和所述第二電子組件之間；形成囊封材料，其覆蓋所述載體的所述頂側的至少一部分、所述第一電子組件的橫向側的至少一部分、所述第二電子組件的橫向側的至少一部分以及所述導電屏蔽構件的橫向側的至少一部分；在所述囊封材料、所述第一電子組件、所述第二電子組件以及所述導電屏蔽構件的每一個的個別的底側上形成訊號分布結構；以及形成電磁干擾(EMI)屏蔽層于所述囊封材料的頂側上以及所述導電屏蔽構件的頂側上，其中所述電磁干擾屏蔽層是電性耦合至所述導電屏蔽構件的所述頂側。所述方法包含在前述形成所述訊號分布結構之前移除所述載體的至少一部分。所述方法中所述導電屏蔽構件是壁形的。所述方法包含形成至少多個額外的導電屏蔽構件于所述載體的所述頂側上，其中所述導電屏蔽構件和所述額外的導電屏蔽構件被定位成一列，并且其中前述形成所述電磁干擾屏蔽層包含將所述電磁干擾屏蔽層直接地形成在所述導電屏蔽構件和所述多個額外的導電屏蔽構件的每一個的個別的頂側上。所述方法中所述導電屏蔽構件是無焊料的。所述方法中所述導電屏蔽構件被連接至所述訊號分布結構而沒有使用焊料，并且所述導電屏蔽構件被連接至所述電磁干擾屏蔽層而沒有使用焊料。所述方法中前述形成所述囊封材料包含形成所述囊封材料以覆蓋所述第一電子組件的頂側、所述第二電子組件的頂側以及所述導電屏蔽構件的頂側。所述方法包含在前述形成所述電磁干擾屏蔽層之前，薄化所述囊封材料以暴露所述導電屏蔽構件的至少所述頂側。在所述方法中，前述附接所述第一電子組件包含附接所述第一電子組件的第一組件終端至所述載體的所述頂側；前述附接所述第二電子組件包含附接所述第二電子組件的第二組件終端至所述載體的所述頂側；以及所述方法包含移除所述載體，其中在移除所述載體之后，所述第一組件終端、所述第二組件終端、所述第一導電屏蔽構件和所述囊封材料的每一個的個別的底表面是共平面。在所述方法中，所述囊封材料包含多個橫向側，所述橫向側中的每一個與所述訊號分布結構的個別的橫向側共平面；以及前述形成所述電磁干擾屏蔽層包含形成所述電磁干擾屏蔽層于所述囊封材料的橫向側上以及所述訊號分布結構的橫向側上。