[發明專利]顯示設備及其主動式陣列開關基板

在審

• 申請號: 201710335553.6
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN107272235A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 陳猷仁
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;G02F1/1343;H01L31/075
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司11228
• 代理人: 亓贏

技術領域

本發明涉及一種顯示設備及其主動式陣列開關基板，特別是涉及一種顯示設備及其主動式陣列開關，可增加太陽能的產生效益。

背景技術

太陽能是一種具有無污染的能源，可解決目前能源短缺與石化能源污染的問題，一直是最受矚目的焦點。而太陽能電池(solar cell)可直接將太陽能轉換為電能，因此成為目前相當重要的研究課題。在目前的太陽能電池市場中，使用單晶硅與多晶硅的電池約占百分之九十以上。但是，這些太陽能電池需使用厚度約150微米至350微米的硅芯片作為材料，其成本較高。再者，由于太陽能電池的原材料采用高質量的硅晶錠，近年來因使用量的明顯成長，已日漸不足。因此，具有低成本、容易大面積生產與模塊化制程簡單的薄膜太陽能電池(thin film solar cell)研發乃成為新的發展方向。

依照光電效應，當光線照射在導體或半導體上時，光子與導體或半導體中的電子作用，會造成電子的流動，而光的波長越短，頻率越高，電子所具有的能量就越高，例如紫外線所具有的能量便高于紅外線，因此，同一材料被紫外線照射產生的流動電子能量將較高。并非所有波長的光都能轉化為電能，只有頻率超越可產生光電效應的標準值時，電流才能產生。

現有技術的太陽能電池的光電轉換層通常使用非晶硅(a-Si)薄膜，但因為其能隙介于1.75至1.8eV之間，只能吸收波長小于750nm的太陽光，不能吸收到整個太陽能光譜，導致硅薄膜太陽能電池的光電轉換效率偏低。

發明內容

為了解決上述光電轉換效率偏低的問題，本發明的目的即在于提供一種主動式陣列開關基板，包括：一基板；一主動式陣列開關，形成于所述基板上，所述主動式陣列開關包括有一源極電極；一太陽能結構，配置于所述源極電極上，所述太陽能結構包括一太陽能電池；以及一可透光電極，覆蓋于所述太陽能電池上；其中，所述太陽能電池包括一N型層、一微晶硅結構I型層及一P型層，自遠離所述源極電極的方向依序堆棧而成。

在本發明的實施例中，所述微晶硅結構I型層是由硅甲烷與氫氣以等離子體輔助化學氣相沉積制成，所述氫氣與所述硅甲烷的混成比值介于40～200。

在本發明的實施例中，所述可透光電極的材質選自氧化鋅、二氧化錫、氧化銦錫及氧化銦其中之一。

為了解決上述光電轉換效率偏低的問題，本發明的另一目的即在于提供一種主動式陣列開關基板，包括：一基板；一主動式陣列開關，形成于所述基板上，所述主動式陣列開關包括有一源極電極；一第一太陽能結構，配置于所述源極電極上，所述第一太陽能結構包括一第一太陽能電池；一第二太陽能結構，配置于所述第一太陽能結構上，所述第二太陽能結構包括一第二太陽能電池；以及一可透光電極，覆蓋于所述第二太陽能電池上；其中，所述第一太陽能電池包括一N 型層、一微晶硅結構I型層及一P型層，自遠離所述源極電極的方向依序堆棧而成，所述第二太陽能電池包括一N型層、一非晶硅結構I型層及一P型層，自遠離所述源極電極的方向依序堆棧而成。

在本發明的實施例中，所述微晶硅結構I型層是由硅甲烷與氫氣以等離子體輔助化學氣相沉積制成，所述氫氣與所述硅甲烷的混成比值介于40～200。

在本發明的實施例中，所述可透光電極的材質選自氧化鋅、二氧化錫、氧化銦錫及氧化銦其中之一。

為了解決上述光電轉換效率偏低的問題，本發明的又一目的即在于提供一種顯示設備，包括：一顯示面板；至少一堆棧式太陽能結構，配置于所述顯示面板的周圍，用以吸收光線并轉換成電能供所述顯示設備使用；以及一主動式陣列開關，配置于所述顯示面板的一側，用以控制所述顯示面板的顯像功能。

在本發明的實施例中，所述堆棧式太陽能結構包括：一透明基板；多個可透光電極，等間距配置于所述透明基板上；多個太陽能結構，以適當的距離分別沉積在對應的所述可透光電極上，使得每一可透光電極與其對應太陽能結構定義為一個太陽能電池單元；以及多個金屬電極，分別形成于對應的所述太陽能結構上；其中，所述太陽能結構包括一第一太陽能電池與一第二太陽能電池，所述適當的距離使得所述透明電極可以局部露出而不被所述太陽能結構完全覆蓋。

在本發明的實施例中，所述可透光電極的材質選自氧化鋅、二氧化錫、氧化銦錫及氧化銦其中之一。

在本發明的實施例中，所述金屬電極的材質選自鋁(Al)、銀(Ag)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鈦(Ti)及其合金其中之一。

由于微晶硅在太陽光中可吸收長波長的太陽光，上述各實施例應用在顯示設備中，可有效的增加太陽能的產生效益。

附圖說明