[發明專利]一種發光二極管外延片的制造方法有效
| 申請號： | 201710334928.7 | 申請日： | 2017-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN107331738B | 公開（公告）日： | 2019-12-06 |
| 發明（設計）人： | 金雅馨;萬林;胡加輝 | 申請（專利權）人： | 華燦光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 徐立<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 外延 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長緩沖層、成核層、未摻雜氮化鎵層、第二N型氮化鎵層、低溫改善層、第一N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層；
其中，所述緩沖層為二維生長的氮化鎵層，所述低溫改善層為未摻雜的GaN層，且所述低溫改善層的生長溫度為500～750℃，所述緩沖層的生長溫度與所述低溫改善層的生長溫度相同，所述低溫改善層的厚度為50～200埃。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二N型氮化鎵層的生長條件與所述第一N型氮化鎵層的生長條件相同，所述生長條件包括生長溫度、生長壓力和Ⅴ/Ⅲ比。
3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第二N型氮化鎵層的厚度與所述第一N型氮化鎵層的厚度相同。
4.根據權利要求1～3任一項所述的制造方法，其特征在于，所述低溫改善層的生長溫度為600℃。
5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述低溫改善層的厚度為100～150埃。
6.根據權利要求1～3任一項所述的制造方法，其特征在于，所述低溫改善層的生長壓力為50～760torr。
7.根據權利要求1～3任一項所述的制造方法，其特征在于，所述低溫改善層的Ⅴ/Ⅲ比為300～3000。
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