[發(fā)明專利]一種基于側(cè)向場激勵(lì)剪切波模式的FBAR微壓力傳感器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710334788.3 | 申請日： | 2017-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN107192481A | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蘇淑靖;馬曉鑫;熊繼軍;譚秋林;耿子惠;吳永盛;韓文革;呂楠楠 | 申請（專利權(quán)）人： | 中北大學(xué) |
| 主分類號： | G01L1/16 | 分類號： | G01L1/16 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)32257 | 代理人： | 李廣 |
| 地址： | 030051 山*** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 側(cè)向 激勵(lì) 剪切 模式 fbar 壓力傳感器 | ||
1.一種基于側(cè)向場激勵(lì)剪切波模式的FBAR微壓力傳感器，其特征在于，包括硅襯底(1)、支撐層(2)、空氣隙(3)、AlN壓電薄膜(4)、雙電極層(5)、接地層(6)、微壓力敏感層(7)、微壓力施加層(8)；
所述硅襯底(1)上表面采用硅表面刻蝕工藝與所述AlN壓電薄膜(4)間形成空氣隙(3)，在所述硅襯底(1)上表面淀積一層支撐層(2)連接所述AlN壓電薄膜(4)，所述AlN壓電薄膜(4)上表面為雙電極層(5)和所述接地層(6)，所述接地層(6)上表面淀積4個(gè)所述微壓力敏感層(7)，所述微壓力敏感層(7)上鍵合有所述微壓力施加層(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于側(cè)向場激勵(lì)剪切波模式的FBAR微壓力傳感器，其特征在于，所述AlN壓電薄膜(4)的c軸取向與厚度方向一致。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于側(cè)向場激勵(lì)剪切波模式的FBAR微壓力傳感器,其特征在于，所述支撐層(2)為Si3N4材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于側(cè)向場激勵(lì)剪切波模式的FBAR微壓力傳感器,其特征在于，所述雙電極層(5)對稱分布于壓電薄膜上表面的中部，采用Mo作為電極材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于側(cè)向場激勵(lì)剪切波模式的FBAR微壓力傳感器，其特征在于，所述接地層(6)設(shè)置在所述壓電薄膜(4)上表面對稱的兩個(gè)邊沿處，所述接地層(6)上表面淀積有4個(gè)所述微壓力敏感層(7)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于側(cè)向場激勵(lì)剪切波模式的FBAR微壓力傳感器，其特征在于，所述微壓力施加層(8)采用硅材料，所述微壓力施加層(8)作為微壓力檢測時(shí)的均勻受力結(jié)構(gòu)。
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