[發(fā)明專利]一種振動(dòng)傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710334449.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106961649B | 公開(公告)日: | 2019-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 甘立軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 佛山市合宏泰業(yè)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04R9/06 | 分類號(hào): | H04R9/06;H04R9/02 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務(wù)所 44242 | 代理人: | 馮筠 |
| 地址: | 528100 廣東省佛山市三水*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 振動(dòng) 傳感器 | ||
1.一種振動(dòng)傳感器,其特征在于,所述振動(dòng)傳感器包括:
單晶硅基底;
形成于所述單晶硅基底的下表面的梯形開口,其是在所述單晶硅基底的下表面進(jìn)行刻蝕得到的;
形成于具有梯形開口的單晶硅基底上表面的波形多層結(jié)構(gòu),所述波形多層結(jié)構(gòu)包括至少一組相對(duì)設(shè)置的結(jié)構(gòu)層,所述一組結(jié)構(gòu)層包括兩層結(jié)構(gòu)層,所述兩層結(jié)構(gòu)層中至少一層結(jié)構(gòu)層為波形;
形成于所述波形結(jié)構(gòu)層表面的電極層;
其中,所述至少一組結(jié)構(gòu)層構(gòu)造成在外力的作用下能夠發(fā)生相對(duì)位移,以檢測(cè)外界的振動(dòng)作用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振動(dòng)傳感器,其特征在于,所述波形多層結(jié)構(gòu)包括兩組相對(duì)設(shè)置的結(jié)構(gòu)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振動(dòng)傳感器,其特征在于,所述兩組結(jié)構(gòu)層中的一組結(jié)構(gòu)層包括相對(duì)設(shè)置的第一結(jié)構(gòu)層和第二結(jié)構(gòu)層,所述第一結(jié)構(gòu)層為波形,所述第二結(jié)構(gòu)層的截面為直線形;
所述兩組結(jié)構(gòu)層中的另一組結(jié)構(gòu)層包括相對(duì)設(shè)置的第三結(jié)構(gòu)層和第四結(jié)構(gòu)層,所述第三結(jié)構(gòu)層為波形,所述第四結(jié)構(gòu)層的截面為直線形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振動(dòng)傳感器,其特征在于,所述第二結(jié)構(gòu)層設(shè)置成靠近所述第三結(jié)構(gòu)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的振動(dòng)傳感器,其特征在于,所述第一結(jié)構(gòu)層設(shè)置成靠近所述第四結(jié)構(gòu)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的振動(dòng)傳感器,其特征在于,所述第一結(jié)構(gòu)層,其上具有多個(gè)第一孔口,所述第一孔口沿著垂直于所述第一結(jié)構(gòu)層的長(zhǎng)度方向延伸。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于佛山市合宏泰業(yè)科技有限公司,未經(jīng)佛山市合宏泰業(yè)科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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