[發明專利]一種TFT陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201710334440.4
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN107195634A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 曾勉;劉曉娣
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280
• 代理人: 李慶波

1.一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上沉積遮光金屬層，對所述遮光金屬層進行圖案化處理，以形成底柵電極；

在所述底柵電極及所述基板上沉積緩沖層，對所述緩沖層進行圖案化處理，以使得所述底柵電極上方的所述緩沖層被薄化；

在所述緩沖層上沉積半導體層，對所述半導體層進行圖案化處理，以在所述緩沖層的薄化區域內形成與所述底柵電極相對設置的半導體圖案。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述緩沖層的薄化區域的厚度設置成使得所述緩沖層的薄化區域作為所述底柵電極與所述半導體圖案之間的底柵絕緣層。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，對所述緩沖層進行圖案化處理所使用的掩膜與對所述半導體層進行圖案化處理所使用的掩膜或對所述遮光金屬層進行圖案化處理所使用的掩膜為同一掩膜。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，對所述半導體層進行圖案化處理所使用的光阻層及對所述遮光金屬層進行圖案化處理所使用的光阻層為正性光阻層和負性光阻層中的一個，對所述緩沖層進行圖案化處理所使用的光阻層為正性光阻層和負性光阻層中的另一個。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

在所述半導體圖案及所述緩沖層上沉積頂柵絕緣層和頂柵金屬層，至少對所述頂柵金屬層進行圖案化處理，以形成與所述半導體圖案相對設置的頂柵電極。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述半導體圖案為金屬氧化物半導體圖案，所述制作方法還包括：

以所述頂柵電極作為掩膜，對所述金屬氧化物半導體圖案的位于所述頂柵電極兩側的區域進行導體化。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

在所述頂柵電極、所述金屬氧化物半導體圖案及所述緩沖層上沉積層間介質層，并對所述層間介質層進行圖案化處理，以形成分別對應于所述金屬氧化物半導體圖案的兩側區域的第一過孔及第二過孔；

在所述層間介質層上沉積源/漏金屬層，并對所述源/漏金屬層進行圖案化處理，以形成分別位于所述頂柵電極的兩側的源極及漏極，所述源極及所述漏極分別通過所述第一過孔及所述第二過孔與所述金屬氧化物半導體圖案的兩側區域電連接。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

在所述源極、所述漏極及所述層間介質層上沉積鈍化層，并對所述鈍化層進行圖案化處理，以形成與所述源極或所述漏極對應的第三過孔；

在所述鈍化層上沉積透明導電層，并對所述透明導電層進行圖案化處理，以形成像素電極，所述像素電極通過所述第三過孔與所述源極或所述漏極電連接。

9.一種TFT陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基板；

底柵電極，形成在所述基板上；

緩沖層，用于覆蓋所述底柵電極和所述基板，其中所述緩沖層設置有位于所述底柵電極的薄化區域；

半導體圖案，形成于所述薄化區域內且與所述底柵電極相對設置。

10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述緩沖層的薄化區域的厚度設置成使得所述緩沖層的薄化區域作為所述底柵電極與所述半導體圖案之間的底柵絕緣層。