[發明專利]一種屏蔽極低頻磁場的正方形截面金屬屏蔽槽設計方法

有效

• 申請號: 201710333857.9
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN107135636B
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 辛亮;戴曉敏;戴明秋
• 申請（專利權）人: 國網上海市電力公司;上海高試電氣科技有限公司;上海交通大學
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 上?？剖⒅R產權代理有限公司 31225
• 代理人: 翁惠瑜

1.一種屏蔽極低頻磁場的正方形截面金屬屏蔽槽設計方法，其特征在于，該方法將正方形截面金屬屏蔽槽等效為同材料等周長的圓截面金屬屏蔽管，采用軸對稱屏蔽管的極低頻磁場屏蔽率簡化估算所述正方形截面金屬屏蔽槽的極低頻磁場屏蔽率，獲取符合設定極低頻磁場屏蔽率的正方形截面金屬屏蔽槽的材料與尺寸，該方法包括以下步驟：

A)獲取設定極低頻磁場屏蔽率S_t；

B)根據被屏蔽極低頻磁場源的布置狀態及強度絕緣要求初始化正方形截面金屬屏蔽槽的材料和尺寸；

C)將步驟B)獲得的正方形截面金屬屏蔽槽等效為同材料等周長的圓截面金屬屏蔽管；

D)計算所述圓截面金屬屏蔽管的極低頻磁場屏蔽率S’，以該極低頻磁場屏蔽率S’作為所述正方形截面金屬屏蔽槽的極低頻磁場等效屏蔽率S；

E)判斷所述極低頻磁場等效屏蔽率S是否滿足S≤S_t，若是，則保存當前的材料和尺寸，設計結束，若否，則改變正方形截面金屬屏蔽槽的材料和尺寸后，返回步驟C)。

2.根據權利要求1所述的屏蔽極低頻磁場的正方形截面金屬屏蔽槽設計方法，其特征在于，所述尺寸包括正方形截面的邊長和金屬屏蔽槽的厚度。

3.根據權利要求1所述的屏蔽極低頻磁場的正方形截面金屬屏蔽槽設計方法，其特征在于，所述步驟D)中，極低頻磁場等效屏蔽率S簡化計算為：

式中，中間參數K、k分別定義為：其中，δ為透入深度，r為圓截面金屬屏蔽管的半徑，t為圓截面金屬屏蔽管的厚度，f為頻率，μ為磁導率，σ為電導率。

4.根據權利要求2所述的屏蔽極低頻磁場的正方形截面金屬屏蔽槽設計方法，其特征在于，所述步驟E)中，改變正方形截面金屬屏蔽槽的材料和尺寸具體包括以下措施中的一種或多種：增加金屬屏蔽槽的厚度、增大正方形截面的邊長和選用更高相對磁導率的材料。

5.根據權利要求1所述的屏蔽極低頻磁場的正方形截面金屬屏蔽槽設計方法，其特征在于，所述步驟B)中，被屏蔽極低頻磁場源包括電纜、導線或母線。