[發明專利]具有保護柵極電介質的阻擋層的基于FET的濕度傳感器有效
| 申請號: | 201710333712.9 | 申請日: | 2017-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN107449811B | 公開(公告)日: | 2022-02-15 |
| 發明(設計)人: | C.科比亞努;R.戴維斯;A.斯特拉圖拉特;B.塞爾班;O.比尤;C.G.博斯坦;M.布雷茲努;S.D.科斯蒂 | 申請(專利權)人: | 霍尼韋爾國際公司 |
| 主分類號: | G01N27/22 | 分類號: | G01N27/22 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 趙蘇林;李炳愛 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 保護 柵極 電介質 阻擋 基于 fet 濕度 傳感器 | ||
1.濕度傳感器,其包括:
具有源極(122)和漏極(124)的襯底(110),其中所述漏極(124)與所述源極(122)橫向隔開;
柵極堆疊,其包括:
位于所述源極(122)和所述漏極(124)之間的空間中的柵極絕緣體(126);
位于所述柵極絕緣體(126)上方的阻擋層(128);
位于所述阻擋層(128)上方的傳感聚合物(140);
電耦合至所述源極(122)的源極電極(142);
電耦合至所述漏極(124)的漏極電極(144);
位于所述傳感聚合物(140)上方的多孔柵極電極(146);
在所述多孔柵極電極(146)上方延伸的保護性多孔聚合物層(162);和
限定柵極堆疊的橫向邊緣以及源極和漏極區域的二氧化硅層(160)。
2.權利要求1的濕度傳感器,其中:
所述襯底(110)包括硅;
所述柵極絕緣體(126)包括SiO2;和
所述阻擋層(128)包括Ta2O5、Al2O3、HfO2和氮化硅(Si3N4)中的一種或多種。
3.權利要求1-2中任一項的濕度傳感器,其中所述傳感聚合物(140)包括聚酰亞胺和聚砜中的一種或多種。
4.權利要求1-2中任一項的濕度傳感器,其中所述傳感聚合物(140)包括聚酰亞胺和聚砜中的至少一種,其已經使用下列成員之一進行交聯:
2,2,3,3,4,4,5,5-八氟-1,6-己二醇;
1,5-戊二醇;
1,10-癸二醇;和
1,4-苯二甲醇。
5.權利要求1-2中任一項的濕度傳感器,其中所述傳感聚合物(140)包括聚砜與雙(頻哪醇合)二硼和二叔丁基聯吡啶在銥催化劑的存在下、然后在鈀催化劑的存在下與4-甲?;?4'-溴聯苯反應、然后進行溫和氧化并采用八氟己二醇交聯的反應產物。
6.權利要求1的濕度傳感器,其進一步包括在所述保護性多孔聚合物層(162)的一部分上方的鈍化層(164),所述鈍化層(164)不在所述多孔柵極電極(146)上方的所述保護性多孔聚合物層(162)的至少一部分上方延伸。
7.權利要求6的濕度傳感器,其中所述鈍化層(164)包括SiO2、Ta2O5、Al2O3、HfO2或氮化硅(Si3N4)。
8.權利要求1的濕度傳感器,其進一步包括:
形成在所述襯底(110)上的參比場效應晶體管(130)。
9.權利要求8的濕度傳感器,其中所述參比場效應晶體管(130)包括:
形成在所述襯底(110)上的第二源極(132)和第二漏極(134),其中所述第二漏極(134)與所述第二源極(132)橫向隔開;
第二柵極堆疊,其包括:
位于所述第二源極(132)和所述第二漏極(134)之間的空間中的第二柵極絕緣體(136);
位于所述第二柵極絕緣體(136)上方的第二阻擋層(138);
位于所述第二阻擋層(138)上方的第二傳感聚合物(150);
電耦合至所述第二源極(132)的第二源極電極(152);
電耦合至所述第二漏極(134)的第二漏極電極(154);和
位于所述第二傳感聚合物(150)上方的金屬層(156)。
10.權利要求9的濕度傳感器,其中所述金屬層(156)被構造成防止所述第二傳感聚合物(150)暴露于環境。
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