[發明專利]顯示面板、顯示面板的制造方法和顯示面板的綁定方法有效
| 申請號: | 201710332764.4 | 申請日: | 2017-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN108878443B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發明(設計)人: | 王祖強 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制造 方法 綁定 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
襯底基板;
所述襯底基板上設置有外圍電路,所述外圍電路包括玻璃襯底芯片電路,所述玻璃襯底芯片電路包括源漏接觸電極圖案,所述源漏接觸電極圖案包括多個源漏接觸電極;
設置有所述外圍電路的襯底基板中設置有保護結構,所述保護結構覆蓋在所述多個源漏接觸電極中每個源漏接觸電極的邊緣,所述保護結構用于避免所述源漏接觸電極圖案斷路。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述外圍電路包括玻璃襯底芯片電路,所述玻璃襯底芯片電路包括所述源漏接觸電極圖案、絕緣層和柵極圖案,所述絕緣層包括有多個第一過孔,所述源漏接觸電極圖案包括多個源漏接觸電極;
所述柵極圖案設置在所述襯底基板上;
所述絕緣層設置在設置有所述柵極圖案的襯底基板上;
所述源漏接觸電極圖案設置在設置有所述絕緣層的襯底基板上,并通過所述多個第一過孔與所述柵極圖案接觸,所述多個源漏接觸電極與所述多個第一過孔一一對應;
所述保護結構包括多個第二過孔,所述第二過孔設置在所述多個源漏接觸電極中每個源漏接觸電極中,所述柵極圖案在所述多個第二過孔處露出。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述源漏接觸電極圖案為復合膜層結構,所述復合膜層結構包括與所述柵極圖案接觸的第一金屬層、與所述第一金屬層接觸的導電金屬層以及與所述導電金屬層接觸的第二金屬層,所述第二金屬層的厚度大于所述第一金屬層的厚度。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一金屬層和所述第二金屬層為鈦金屬層;
所述導電金屬層為鋁金屬層。
5.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述保護結構還包括保護圖案,所述保護圖案覆蓋在所述多個源漏接觸電極中每個源漏接觸電極的邊緣。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述外圍電路包括柔性印制電路,所述柔性印制電路包括所述源漏接觸電極圖案和平坦層圖案,所述平坦層圖案的厚度大于所述源漏接觸電極圖案的厚度;
所述襯底基板上設置有所述源漏接觸電極圖案,所述源漏接觸電極圖案包括多個源漏接觸電極;
設置有所述源漏接觸電極圖案的襯底基板上設置有所述平坦層圖案,所述平坦層圖案包括有多個第三過孔,所述多個第三過孔與所述多個源漏接觸電極一一對應;
所述保護結構覆蓋在所述平坦層圖案上。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述外圍電路包括柔性印制電路,所述柔性印制電路包括所述源漏接觸電極圖案和絕緣層,所述絕緣層中設置有多個第四過孔,所述多個第四過孔為所述保護結構;
所述襯底基板上設置有所述絕緣層;
設置有所述絕緣層的襯底基板上設置有所述源漏接觸電極圖案,所述源漏接觸電極圖案包括多個源漏接觸電極,所述多個源漏接觸電極設置在所述多個第四過孔中,且所述多個源漏接觸電極與所述多個第四過孔一一對應。
8.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述外圍電路包括扇出電路,所述扇出電路包括所述源漏接觸電極圖案和平坦層;
所述襯底基板上設置有所述源漏接觸電極圖案;
設置有所述源漏接觸電極圖案的襯底基板上設置有所述平坦層;
所述保護結構設置在設置有所述平坦層的襯底基板上,所述源漏接觸電極圖案在所述襯底基板上的正投影與所述保護結構在所述襯底基板上的正投影存在重疊。
9.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述保護結構由多個間隔排布的塊狀結構組成。
10.根據權利要求1、5、6、8、9中任一所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括像素電極圖案,
所述保護結構與所述像素電極圖案同層設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





