[發明專利]去疵性的評價方法

有效

• 申請號: 201710332524.4
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN107403738B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 介川直哉;橫田亮平;不破德人
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;喬婉

提供一種去疵性的評價方法，對于可成為實際的產品的器件晶片，能夠簡便地對去疵性進行評價。一種晶片的去疵性評價方法，包含如下的工序：去疵層形成工序，使用研磨磨輪對半導體晶片的與正面相反的一側的背面進行研磨并在背面形成研磨痕，并且在作為半導體晶片的內部的研磨痕的下部形成去疵層；拍攝工序，通過拍攝單元(31)對形成有研磨痕的背面的至少單位區域進行拍攝；計數工序，對在所拍攝的單位區域中具有10nm～500nm的寬度的研磨痕的個數進行計數；以及比較工序，對通過計數工序計數得到的研磨痕的個數是否為規定的值以上進行比較。

技術領域

本發明涉及對晶片的去疵性進行評價的方法。

背景技術

近年來，由于器件的小型化等而將形成器件后的晶片(以下，稱為“器件晶片”。)加工得較薄。但是，例如，當對器件晶片進行研磨而使其厚度薄化至100μm以下時，對器件而言存在對有害的Cu等金屬元素進行捕捉的去疵效果降低而產生器件的動作不良的擔心。為了解決該問題，進行在器件晶片上形成捕獲金屬元素的去疵層的步驟(例如，參照專利文獻1)。在該加工方法中，通過按照規定的條件對器件晶片進行磨削，一邊維持器件晶片的抗彎強度一邊形成包含規定的磨削應變的去疵層。

并且，作為去疵性的評價方法，存在如下方法：在利用金屬元素對器件晶片的背面側進行了強制污染之后，在正面側對金屬元素的原子量進行測量，在所測量的金屬原子的原子量未達到規定的檢測界限的情況下，判斷為去疵性充分(例如，參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開2009-094326號公報

專利文獻2：日本特開2012-238732號公報

然而，在實際上利用金屬元素將器件晶片污染而對去疵性進行評價的方法中，不僅花費工夫，而且無法從該器件晶片得到合格的器件芯片。并且，該方法使用的是評價用的器件晶片，對于可成為產品的器件晶片，無法對去疵性進行評價。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供去疵性的評價方法，對于可成為實際的產品的器件晶片，能夠簡便地對去疵性進行評價。

根據本發明，提供一種去疵性的評價方法，對在正面上形成有多個器件的半導體晶片的去疵性進行評價，其中，該去疵性的評價方法具有如下的工序：去疵層形成工序，使用研磨磨輪對半導體晶片的與正面相反的一側的背面進行研磨并在背面形成研磨痕，并且在作為半導體晶片的內部的研磨痕的下部形成去疵層；拍攝工序，通過拍攝單元對形成有研磨痕的背面的至少單位區域進行拍攝；計數工序，對在所拍攝的單位區域中具有10nm～500nm的寬度的研磨痕的個數進行計數；以及比較工序，對通過計數工序計數得到的研磨痕的個數是否為規定的值以上進行比較，在比較工序中，根據計數得到的研磨痕的個數對去疵層的狀態進行評價。

優選在上述評價方法中，單位區域的面積為10(μm)²，研磨痕的個數的規定的值為8個/10(μm)²。

本發明的發明者發現在研磨痕的個數與去疵性之間存在相關關系。在本發明中，能夠根據通過對半導體晶片的背面進行研磨而形成的規定的寬度的研磨痕的個數是否為規定的值以上來評價去疵性。因此，能夠將可成為實際的產品的器件晶片作為評價的對象。并且，由于僅對磨削痕的個數進行計數即可，所以能夠簡便地進行評價。

附圖說明

圖1是示出研磨裝置的例子的立體圖。

圖2是示出對半導體晶片進行研磨的狀態的主視圖。

圖3是示出去疵性評價裝置的例子的立體圖。

圖4是示出構成去疵性評價裝置的拍攝單元的剖視圖。

圖5是示出形成于半導體晶片的背面的研磨痕的例子的圖像。

圖6是示出對半導體晶片進行磨削和研磨的加工裝置的例子的立體圖。