[發(fā)明專利]光模塊在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710331245.6 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106950659A | 公開（公告）日： | 2017-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳思濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 青島海信寬帶多媒體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B6/42 | 分類號(hào)： | G02B6/42;G02B6/34 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人： | 劉丹,黃健 |
| 地址： | 266555 山東省青*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 模塊 | ||
1.一種光模塊，其特征在于，包括：依次相連的第一波導(dǎo)、陣列波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，其中，所述第二波導(dǎo)用于與激光器或探測(cè)器相連；所述第一波導(dǎo)上設(shè)有耦合光柵，用于與光纖耦合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述耦合光柵設(shè)置在所述第一波導(dǎo)的頂面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光模塊，其特征在于，所述第一波導(dǎo)中硅基底的頂面通過刻蝕形成有多個(gè)凹槽，所述凹槽內(nèi)填充有二氧化硅，所述硅基底與所述凹槽內(nèi)填充的二氧化硅形成所述耦合光柵。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光模塊，其特征在于，從光纖至陣列波導(dǎo)的方向，所述耦合光柵呈發(fā)散狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光模塊，其特征在于，所述耦合光柵的張角為30°-60°。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光模塊，其特征在于，所述耦合光柵的周期數(shù)為20-30。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光模塊，其特征在于，所述耦合光柵的周期為400nm-700nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光模塊，其特征在于，所述耦合光柵的占空比為0.5。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光模塊，其特征在于，所述耦合光柵中，與陣列波導(dǎo)距離最遠(yuǎn)的凹槽與所述耦合光柵的焦點(diǎn)之間的距離為10μm-30μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光模塊，其特征在于，所述第一波導(dǎo)中硅基底的厚度為220nm，所述凹槽的深度為70nm。
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