[發明專利]一種快速制備電子封裝材料Cu3Sn金屬間化合物的方法

在審

• 申請號: 201710330929.4
• 申請日: 2017-05-11
• 公開（公告）號: CN107096988A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 殷祚炷;孫鳳蓮;樊嘉杰;劉洋
• 申請（專利權）人: 哈爾濱理工大學;常州市武進區半導體照明應用技術研究院
• 主分類號: B23K20/02
• 分類號: B23K20/02;B23K13/01;B23K28/02
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所23109
• 代理人: 侯靜

1.一種快速制備電子封裝材料Cu₃Sn金屬間化合物的方法，其特征在于該方法是通過下列步驟實現：

一、將Sn箔和Cu箔放入無水乙醇中進行超聲清洗，取出后晾干，得到清洗后的Sn箔和Cu箔；

二、在清洗后的Sn箔的兩面涂抹助焊膏，然后將Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治結構箔片；

三、將Cu/Sn/Cu三明治結構箔片置于高頻感應加熱裝置的線圈中，在Cu/Sn/Cu三明治結構箔片的表面用重物壓上，控制加熱溫度為240℃～530℃，釬焊時間為20s～300s，進行連接，連接過程中持續施加0.007MPa～0.05MPa焊接壓力，焊接結束后空冷至250℃以下，即完成所述的電子封裝材料Cu₃Sn金屬間化合物的制備。

2.根據權利要求1所述的一種快速制備電子封裝材料Cu₃Sn金屬間化合物的方法，其特征在于步驟一中Sn箔的厚度為15μm。

3.根據權利要求1所述的一種快速制備電子封裝材料Cu₃Sn金屬間化合物的方法，其特征在于步驟一中Cu箔的厚度為100μm。

4.根據權利要求1所述的一種快速制備電子封裝材料Cu₃Sn金屬間化合物的方法，其特征在于步驟三控制加熱溫度為500℃～530℃。

5.根據權利要求1所述的一種快速制備電子封裝材料Cu₃Sn金屬間化合物的方法，其特征在于步驟三控制釬焊時間為250s～300s。

6.根據權利要求1所述的一種快速制備電子封裝材料Cu₃Sn金屬間化合物的方法，其特征在于步驟三連接過程中持續施加0.015MPa～0.025MPa焊接壓力。

7.根據權利要求1所述的一種快速制備電子封裝材料Cu₃Sn金屬間化合物的方法，其特征在于步驟三控制加熱溫度為510℃～530℃，釬焊時間為250s～280s，連接過程中持續施加0.015MPa～0.025MPa焊接壓力。

8.根據權利要求1所述的一種快速制備電子封裝材料Cu₃Sn金屬間化合物的方法，其特征在于步驟三控制加熱溫度為530℃，釬焊時間為270s，連接過程中持續施加0.015MPa焊接壓力。

9.根據權利要求1所述的一種快速制備電子封裝材料Cu₃Sn金屬間化合物的方法，其特征在于步驟三焊接結束后空冷至210～250℃。