[發(fā)明專利]一種陣列式微細階梯槽的電火花加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710330837.6
• 申請日: 2017-05-11
• 公開（公告）號: CN108856918B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳燁嫻;夏雁鳴;馬盛林;陳兢
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州含光微納科技有限公司
• 主分類號: B23H1/00
• 分類號: B23H1/00
• 代理公司: 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11200
• 代理人: 邱曉鋒

1.一種陣列式微細階梯槽的2.5D電火花加工方法，其特征在于，首先制備大小不同圖形的微細陣列電極，然后分別采用所述大小不同圖形的微細陣列電極對工件進行不同深度的電火花加工，形成不同深度、不同大小的2D圖形結(jié)構(gòu)進行堆疊的微細陣列的階梯槽；所述階梯槽的臺階數(shù)目大于等于2個，所述大小不同圖形的數(shù)目與所述階梯槽的臺階數(shù)相對應(yīng)；在制備所述微細陣列電極時增加微細定位結(jié)構(gòu)，用于在進行階梯槽加工時進行定位。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用下列方法之一制備所述微細陣列電極：電火花切割工藝、LIGA工藝、電鑄工藝、金屬刻蝕工藝。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述微細陣列電極的材料為：銅及其合金，鎳及其合金，石墨及其化合物，或鎢及其合金。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述微細定位結(jié)構(gòu)的形狀為直線、方塊、點或圓。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述微細陣列電極中，同一圖形通過增加完全相同圖形的陣列電極進行電極損耗補償，所述微細定位結(jié)構(gòu)還用于在進行電極損耗補償時進行定位。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述大小不同圖形的微細陣列電極分為兩種類別：a)大圖形與小圖形的重合部分存在電極結(jié)構(gòu)，b)大圖形與小圖形的重合部分不存在電極結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，二階階梯槽的形成方式分為以下三種：

a)首先加工小圖形結(jié)構(gòu)，加工深度較深；然后加工大圖形結(jié)構(gòu)，加工深度較淺，其中大圖形與小圖形的重合部分存在電極結(jié)構(gòu)；

b)首先加工大圖形結(jié)構(gòu)，加工深度較淺；然后加工小圖形結(jié)構(gòu)，加工深度較深；

c)首先加工小圖形結(jié)構(gòu)，加工深度較深；然后加工大圖形結(jié)構(gòu)，加工深度較淺，其中大圖形與小圖形的重合部分不存在電極結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在加工階梯槽時，通過一次夾持及主軸平移實現(xiàn)電極中心的精確對準。