[發明專利]一種吸片裝置

有效

• 申請號: 201710330647.4
• 申請日: 2017-05-11
• 公開（公告）號: CN108878338B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 馮祥雷
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京思創畢升專利事務所 11218
• 代理人: 孫向民;廉莉莉

本發明提出了一種吸片裝置。該裝置包括第一板和第二板，第一板為圓形板，其上設有抽氣口，抽氣口用于與真空產生裝置連接；第二板的外周為圓形，第二板的第一表面設有向內部凹陷的環形凹槽，環形凹槽與第一板配合形成抽氣室，抽氣室與抽氣口連通；第二板的第二表面中心設有向內部凹陷的圓形緩沖抽氣腔，緩沖抽氣腔的直徑大于所述環形凹槽的內徑并小于環形凹槽的外徑，并且緩沖抽氣腔的深度小于第二板的厚度與環行凹槽的深度之差；在抽氣室和緩沖抽氣腔之間設置有第一抽氣孔，第一抽氣孔將緩沖抽氣腔與抽氣室連通。本發明通過設置緩沖抽氣腔，保證了第一抽氣孔產生的吸附力不直接作用于晶片上，使得晶片的變形量小，不易形成壓傷。

技術領域

本發明涉及半導體集成電路制造領域，具體地，涉及一種吸片裝置。

背景技術

在半導體集成電路制造領域，晶片傳送屬于非常重要的內容。晶片一般是圓形的，具有正面和背面，晶片正面是實現集成電路結構的晶片面；另外，晶片的邊緣處幾毫米區域也不用于實現集成電路制造。所以，在晶片傳送過程中，保護晶片正面不受損壞是非常重要的，一般選擇晶片背面傳送晶片。然而，在外延反應某些領域無法采用背面傳送晶片，在這種情況下必須使用晶片正面的邊緣傳送晶片。

現有技術中典型的吸片裝置的側視圖如圖1和圖2所示。這種吸片裝置通常包括第一板101和第二板102，第二板102底面被加工成沿著晶片的邊緣與晶片正面接觸，第二板的俯視圖如圖2所示。第二板中心部分有抽氣腔106，抽氣腔106通過抽氣孔105與抽氣室104連通，抽氣室104通過抽氣口103與真空產生裝置連通。這種吸片裝置整體覆蓋晶片，真空產生裝置經由抽氣口103、抽氣室104、抽氣孔105與抽氣腔106連通，產生的真空吸附并固定晶片。

在這種吸片裝置中，第二板底面通常被加工成弧面或者能夠實現相同作用的面，抽氣孔加工在第二板的中間部位。在吸片過程中，在各抽氣孔處形成的吸附力作用于晶片的正面中央，再加上晶片邊緣與第二板弧面保持接觸，晶片中央作用的吸附力將使晶片變形過大，從而容易形成壓傷。此外，在從工藝腔中取片時，晶片尚存有一定溫度，與基座之間存在一定的粘附性，晶片將不能被十分水平地吸附起來，晶片相對于第二板處于一定的傾斜狀態，這樣，第二板的弧面與晶片間將不能形成一個相對密閉的空間，第二板中間均布的單獨一圈抽氣孔無法保證平穩地吸附住晶片，從而造成取片失敗或是傳片過程中晶片的脫落。

因此，有必要開發一種產生的吸附力使得晶片的變形量小，不易形成壓傷的吸片裝置。

公開于本發明背景技術部分的信息僅僅旨在加深對本發明的一般背景技術的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現有技術。

發明內容

本發明提出了一種吸片裝置，至少通過設置緩沖抽氣腔，解決了晶片在吸附過程中變形量大，易形成壓傷的問題。

根據本發明的吸片裝置包括：第一板和第二板，所述第一板為圓形板，其上設有抽氣口，所述抽氣口用于與真空產生裝置連接；所述第二板的外周為圓形，所述第二板的第一表面設有向內部凹陷的環形凹槽，所述環形凹槽與所述第一板配合形成抽氣室，所述抽氣室與所述抽氣口連通；所述第二板的第二表面中心設有向內部凹陷的圓形緩沖抽氣腔，所述緩沖抽氣腔的直徑大于所述環形凹槽的內徑并小于環形凹槽的外徑，并且所述緩沖抽氣腔的深度小于第二板的厚度與所述環行凹槽的深度之差；在所述抽氣室和所述緩沖抽氣腔之間設置有第一抽氣孔，所述第一抽氣孔將所述緩沖抽氣腔與所述抽氣室連通。

優選地，所述第二板外側設置有第二抽氣孔，所述第二抽氣孔位于所述第一抽氣孔的外側，并與所述抽氣室連通。

優選地，所述緩沖抽氣腔與所述第二板的外周之間的環形區域的底面從外側向內側傾斜形成弧面。

優選地，所述第一板在靠近所述抽氣口處具有向外突出的突起部。

優選地，所述緩沖抽氣腔的直徑為所述第二板的外徑的7/10～9/10。