[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光晶體管和顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710330296.7 | 申請日: | 2017-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN107425035B | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋振;王國英 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅瑞芝;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光 晶體管 顯示 面板 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光晶體管,包括襯底,其特征在于,所述襯底上方設(shè)置有控制功能體和有機(jī)功能體,所述有機(jī)功能體位于由所述襯底和所述控制功能體圍成的空間內(nèi)部,所述控制功能體包括柵極、源極、漏極和柵絕緣層,所述源極為閉合排布結(jié)構(gòu),所述有機(jī)功能體與所述源極同層設(shè)置且位于所述源極的內(nèi)部;
所述柵絕緣層和所述漏極同層設(shè)置于所述源極和所述有機(jī)功能體的上方,所述柵極設(shè)置于所述柵絕緣層的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光晶體管,其特征在于,所述有機(jī)功能體至少包括空穴注入層、發(fā)光層和電子注入層,所述空穴注入層、發(fā)光層和電子注入層依次沿所述源極形狀由外向內(nèi)同心、閉合排布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光晶體管,其特征在于,所述漏極位于所述電子注入層的正上方,所述柵極與所述源極在正投影方向上無交疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2-3任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光晶體管,其特征在于,所述源極為長方形的閉合結(jié)構(gòu),所述電子注入層和所述漏極位于長方形的中心;
或者,所述源極為圓環(huán)形的閉合結(jié)構(gòu),所述電子注入層和所述漏極位于圓環(huán)形的圓心。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光晶體管,其特征在于,所述源極采用透明導(dǎo)電材料或具有反射性質(zhì)的導(dǎo)電材料形成;所述透明導(dǎo)電材料包括氧化銦、鋁摻雜的氧化鋅、氧化銦鋅或氧化鋅錫中的任意一種或組合,所述具有反射性質(zhì)的導(dǎo)電材料包括銀、鋁釹合金中的任意一種或組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光晶體管,其特征在于,所述柵絕緣層采用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氧化鉭或氧化鉿材料中的任意一種或組合形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光晶體管,其特征在于,還包括交叉設(shè)置的行掃描線、列數(shù)據(jù)線,所述柵極連接所述行掃描線用于傳輸柵控信號,所述源極連接所述列數(shù)據(jù)線用于傳輸數(shù)據(jù)信號,所述漏極連接地電位電壓。
8.一種顯示面板,其特征在于,包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光晶體管。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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