[發明專利]一種影像傳感器的封裝結構在審
| 申請號: | 201710329537.6 | 申請日: | 2017-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN106935606A | 公開(公告)日: | 2017-07-07 |
| 發明(設計)人: | 秦飛;唐濤;別曉銳;項敏;肖智軼 | 申請(專利權)人: | 北京工業大學 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 影像 傳感器 封裝 結構 | ||
技術領域
本發明涉及半導體芯片的晶圓級封裝,尤其涉及一種影像傳感器封裝結構。
背景技術
影像傳感器的晶圓級封裝方案,目前主流是由普通玻璃蓋板及其表面的低于70μm的光刻膠聚合物圍堰與影像傳感器的晶圓功能面鍵合,各圍堰分別對應各圖像傳感器芯片,使得感光區位置形成密封空腔。在晶圓非功能面進行TSV制程,并制作金屬線路將功能面的焊墊通過TSV開口,引到晶圓非功能面。在非功能面上制作凸點后,切割形成單顆芯片。
但是,目前的封裝方案主要是針對中低像素的影像傳感器,隨著像素及拍攝質量要求的提高,上述封裝方案的玻璃外污染對入射到感光區的光線產生的影響必須最小化,光線在各結構件上的反射也需要嚴格控制,炫光、鬼影等現象對拍攝質量的干擾不容忽視了。
發明內容
為了解決上述技術問題,本發明提出了一種影像傳感器封裝結構,可有效抑制光線在圍堰側壁的反射,降低透光蓋板表面污染對成像的不良影響,減少入射到感光區的干擾光線,提高成像質量。
本發明的技術方案是這樣實現的:
一種影像傳感器封裝結構,包括功能面含有至少一感光區及若干焊墊的影像傳感器芯片,所述功能面上粘合一保護所述感光區的圍堰,所述圍堰內側壁覆蓋有吸光層,所述圍堰上貼一透光蓋板覆蓋所述感光區。,透光蓋板與所述感光區之間形成空腔;影像傳感器芯片的非功能面制作有引出功能面焊墊電性的導電結構及相應的絕緣層、線路層和保護層。
有益效果
本發明的有益效果是:本發明提供一種影像傳感器封裝結構,使用內側壁具有吸光層,且高于100μm的圍堰代替較低的光刻膠聚合物圍堰,增加了透光蓋板表面污染顆粒與感光區的距離,減小了光線因顆粒阻擋而在感光區形成的影響面積,并且減小入射光的入射角;圍堰內側壁具覆蓋有吸光層,可有效抑制斜射光線或感光區反射光線在圍堰內側壁的反射,減少入射到感光區的干擾光線,提高成像質量。
附圖說明
圖1為本發明實施例影像傳感器封裝結構剖面示圖。
100---影像傳感器101---焊墊 102---感光區
2---圍堰3---吸光層 4---透光蓋板
5---絕緣層6---線路層 7---保護層
8---導電結構
具體實施方式
為使本發明的技術方案能夠更加易懂,下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。為方便說明,實施例附圖的結構中各組成部分未按正常比例縮放,故不代表實施例中各結構的實際相對大小。其中所說的結構或面的上面或上側,包含中間還有其他層的情況。
本發明實施例如圖1所示,一種影像傳感器封裝結構,包括功能面含有至少一感光區102及若干焊墊101的影像傳感器芯片100,所述功能面上粘合一圍堰2,所述圍堰2的底面覆蓋在感光區102外圍的芯片表面上,所述圍堰2內側壁覆蓋有吸光層3,所述圍堰上表面貼一透光蓋板4,與所述感光區之間形成空腔,影像傳感器芯片的非功能面制作有引出功能面焊墊101電性的導電結構8及相應的絕緣層5、線路層6和保護層7。
其中,若干焊墊101作為影像傳感器芯片100功能面的電性引出端,空腔寬度不小于感光區102的寬度,截面積至少大于感光區102的面積,便于光線入射到感光區,形成圖像信息。
圍堰2內側壁覆蓋有吸光層3,該吸光層3為可吸收所有光線的黑色材料,如黑膠、黑色鍍膜,使外入光線在側壁的鏡面反射降低,減少了光線干擾。優選地,所述吸光層3厚度小于10μm。
圍堰2為低CTE的擋光(可見光)材料,如硅,圍堰2高度可以為30μm至700μm不等。
優選地,所述圍堰2高度不小于100μm,保證良好的成像效果,如封裝的影像傳感器像素大于等于500萬像素,圍堰2高度至少保證100μm以上,所述圍堰2內側壁可垂直于感光區平面,在其他實施例中,還可以與感光區102平面呈一定角度,即圍堰2空腔上開口大于下開口,或者小于下開口。
優選地,透光蓋板4尺寸大于圍堰空腔尺寸,形成密閉的圍堰空腔。較優地,透光蓋板4為濾光玻璃或者鍍膜玻璃,濾除或者反射掉紅外光線。透光蓋板4厚度可以為50μm至300μm不等,由實際情況選定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





