[發明專利]一種金屬互連結構的制備方法有效
| 申請號： | 201710329424.6 | 申請日： | 2017-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN107154380B | 公開（公告）日： | 2020-04-24 |
| 發明（設計）人： | 鮑宇 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 互連 結構 制備 方法 | ||
1.一種金屬互連結構的制備方法，其特征在于，包括：
步驟S1，提供一復合結構，于所述復合結構的上表面制備一基底，并于所述基底的上表面形成一凹槽或通孔；
步驟S2，制備一阻擋層覆蓋所述基底的上表面以及所述凹槽的側壁和底部，或制備一阻擋層覆蓋所述基底的上表面以及所述通孔的側壁；
步驟S3，制備一金屬種子層覆蓋所述阻擋層暴露出的表面；
步驟S4，以所述金屬種子層為生長基礎電鍍形成一第一金屬層覆蓋所述阻擋層的表面；
步驟S5，于所述第一金屬層的上表面覆蓋一第二金屬層；
步驟S6，于所述第二金屬層的上表面覆蓋一應力層形成復合薄膜；
步驟S7，對所述復合薄膜進行熱退火工藝；
步驟S8，依次去除所述應力層、所述第二金屬層、所述第一金屬層的上部以及形成于所述基底的上表面的所述阻擋層，使得剩余的所述第一金屬層與所述基底暴露出的上表面齊平，以在所述凹槽中形成金屬互連結構。
2.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層為銅金屬層。
3.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制備方法，其特征在于，所述第二金屬層為合金層。
4.根據權利要求3所述的金屬互連結構的制備方法，其特征在于，所述合金層為錳銅合金層，或鋁銅合金層，或銀銅合金層。
5.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制備方法，其特征在于，所述第二金屬層的厚度大于或等于50埃。
6.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制備方法，其特征在于，所述第二金屬層為純金屬層。
7.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制備方法，其特征在于，所述應力層為氮化鉈層或氮化鈦層。
8.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制備方法，其特征在于，所述應力層為鉈和氮化鉈的復合層，或鈦和氮化鈦的復合層。
9.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制備方法，其特征在于，所述熱退火工藝的退火溫度為100～250℃，退火時間為10～120min。
10.根據權利要求1所述的金屬互連結構的制備方法，其特征在于，所述應力層的去除方式為濕法刻蝕或化學機械研磨。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
