[發(fā)明專利]一種NOR型阻變存儲器及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710329223.6 | 申請日： | 2017-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN108878644A | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 許毅勝;熊濤;劉釗;舒清明 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海格易電子有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)張*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 第一電極 阻變材料 層間介質(zhì)層 阻變存儲器 通孔 制備 層疊設(shè)置 第二電極 存儲器 電極包裹 制備工藝 集成度 下電極 字線電 孔壁 存儲 貫穿 延伸 制造 | ||
1.一種NOR型阻變存儲器，其特征在于，包括：
自下而上多個層疊設(shè)置的第一電極，所述第一電極之間設(shè)置有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層延伸至所述第一電極的外側(cè)，并包裹多個所述第一電極；
貫穿所述多個層疊設(shè)置，以及所述層間介質(zhì)層的至少一個第一通孔，所述第一通孔的孔壁上設(shè)置有阻變材料；
設(shè)置在所述第一通孔內(nèi)，且由所述阻變材料包裹的第二電極，所述第二電極與對應(yīng)的字線電連接；
與所述第一電極一一對應(yīng)，且設(shè)置在所述層間介質(zhì)層內(nèi)的第二通孔，所述第二通孔內(nèi)形成有位線，所述位線與對應(yīng)的第一電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR型阻變存儲器，其特征在于，
還包括與所述第二電極對應(yīng)設(shè)置的選通管；所述選通管包括源極、漏極和柵極，所述選通管的上表面設(shè)置絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述源極、漏極和柵極；
所述絕緣層中設(shè)置導(dǎo)電過孔，所述第二電極通過所述導(dǎo)電過孔與對應(yīng)的所述選通管的漏極電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的NOR型阻變存儲器，其特征在于，還包括設(shè)置在所述第二電極和所述導(dǎo)電過孔之間的過渡金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的NOR型阻變存儲器，其特征在于，
所述過渡金屬層的材料為銅，所述導(dǎo)電過孔的填充材料為鎢。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR型阻變存儲器，其特征在于，
所述阻變材料為WOx，TaOx以及HfOx中的任意一種，所述第一電極的材料為鎢，所述第二電極的材料為鎢。
6.一種NOR型阻變存儲器的制備方法，其特征在于，包括：
形成自下而上多個層疊設(shè)置的第一電極，所述第一電極之間設(shè)置有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層延伸至所述第一電極的外側(cè)，并包裹多個所述第一電極，以及形成貫穿所述多個層疊設(shè)置，以及所述層間介質(zhì)層的至少一個第一通孔，
在所述第一通孔的孔壁上形成阻變材料，以及在所述第一通孔內(nèi)設(shè)置由所述阻變材料包裹的第二電極，所述第二電極與對應(yīng)的字線電連接；
形成與所述第一電極一一對應(yīng)，且設(shè)置在所述層間介質(zhì)層內(nèi)的第二通孔，所述第二通孔內(nèi)形成有位線，所述位線與對應(yīng)的第一電極電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的NOR型阻變存儲器的制備方法，其特征在于，
所述形成自下而上多個層疊設(shè)置的第一電極具體包括：
形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層包括自下而上的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的疊層；
在所述層間電介質(zhì)的上方，刻蝕多個第一通孔，所述第一通孔貫穿所述層間介質(zhì)層；
通過濕法刻蝕去除所述第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層延伸至所述通過濕法刻蝕去除第二介質(zhì)層的區(qū)域，并包裹所述通過濕法刻蝕去除第二介質(zhì)層的區(qū)域；
將所述第一通孔和所述通過濕法刻蝕去除第二介質(zhì)層的區(qū)域填充第一電極；
去掉所述第一通孔內(nèi)的所述第一電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的NOR型阻變存儲器的制備方法，其特征在于，還包括：
依次形成與所述第二電極對應(yīng)設(shè)置的選通管的源極、漏極和柵極，以及所述選通管的上表面的絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述源極、所述漏極和所述柵極；
在所述絕緣層中形成導(dǎo)電過孔，所述第二電極通過所述導(dǎo)電過孔與對應(yīng)的所述選通管的漏極電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的所述的NOR型阻變存儲器的制備方法，其特征在于，
在所述第二電極和所述導(dǎo)電過孔之間形成過渡金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的所述的NOR型阻變存儲器的制備方法，其特征在于，
所述過渡金屬層的材料為銅，所述導(dǎo)電過孔的填充材料為鎢。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的NOR型阻變存儲器的制備方法，其特征在于，
所述阻變材料為WOx，TaOx以及HfOx中的任意一種，所述第一電極的材料為鎢，所述第二電極的材料為鎢。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的NOR型阻變存儲器的制備方法，其特征在于，
所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅；
所述第二介質(zhì)層的材料為氮化硅；
所述濕法刻蝕的溶液為濃磷酸。
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