[發明專利]一種增大鈣鈦礦CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜結晶質量的方法有效
| 申請號： | 201710329080.9 | 申請日： | 2017-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN107134531B | 公開（公告）日： | 2019-06-28 |
| 發明（設計）人： | 高斐;王昊旭;雷婕;李娟;姜杰軒;胡西紅 | 申請（專利權）人： | 陜西師范大學 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 西安永生專利代理有限責任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 增大 鈣鈦礦 ch3nh3pbi3 晶粒 改善 薄膜 結晶 質量 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種增大鈣鈦礦CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜結晶質量的方法，它由下述步驟組成：
（1）采用水溶液沉積法，將TiO2水溶液倒入培養皿中，浸沒清洗干凈的FTO導電玻璃，加蓋，放入恒溫烘箱，70℃保溫1小時，在FTO導電玻璃表面沉積致密型TiO2層；
（2）采用旋涂法在致密型TiO2層上制備鈣鈦礦CH3NH3PbI3薄膜；
其特征在于：在步驟（2）的旋涂過程中，對鈣鈦礦CH3NH3PbI3前驅液施加磁場，所述磁場的磁場強度為30～120mT，旋涂完畢后在熱臺上100℃退火處理10mins。
2.根據權利要求1所述的增大鈣鈦礦CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜結晶質量的方法，其特征在于：所述磁場的磁場強度為70～90mT。
3.根據權利要求1或2所述的增大鈣鈦礦CH3NH3PbI3晶粒以改善薄膜結晶質量的方法，其特征在于：所述的鈣鈦礦CH3NH3PbI3前驅液是將CH3NH3I與PbI2按摩爾比為1:1加入γ-丁內酯與DMSO體積比為7:3的混合溶液中，得到的1.0～1.5mol/L的CH3NH3PbI3溶液。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
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