[發明專利]電場導向下的小孔內壁真空離子鍍方法有效
| 申請號： | 201710328936.0 | 申請日： | 2017-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN107164736B | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發明（設計）人： | 方健靈;龔蔚 | 申請（專利權）人： | 合肥開泰機電科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/32 | 分類號： | C23C14/32;C23C14/46 |
| 代理公司： | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡劍輝 |
| 地址： | 230601 安徽省合*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電場 導向 小孔 內壁 真空 離子鍍 方法 | ||
【權利要求書】：
1.電場導向下的小孔內壁真空離子鍍方法，其特征在于：采用真空離子鍍設備進行真空離子鍍時，基片不通電或基片接地，基片的正面進行鍍膜，基片的背面設置接電的輔助陰極，利用輔助陰極引導等離子體中的陽離子穿過基片中小孔后趨向輔助陰極，部分陽離子在穿過小孔時與孔壁碰撞沉積形成鍍膜。
2.根據權利要求1所述的電場導向下的小孔內壁真空離子鍍方法，其特征在于：所述的真空離子鍍設備為產生離子源的真空設備。
3.根據權利要求1所述的電場導向下的小孔內壁真空離子鍍方法，其特征在于：所述產生離子源的真空設備為磁控濺射鍍膜設備或者多弧離子鍍膜設備。
4.根據權利要求1所述的電場導向下的小孔內壁真空離子鍍方法，其特征在于：所述的輔助陰極形狀和基片相似，輔助陰極周邊小于基片，以基片作為陽離子和輔助陰極之間的屏障，使陽離子只有通過基片中的小孔才能到達輔助陰極。
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