[發明專利]一種OLED觸控顯示面板及其制作方法、觸控顯示裝置在審
| 申請號: | 201710328928.6 | 申請日: | 2017-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN107123621A | 公開(公告)日: | 2017-09-01 |
| 發明(設計)人: | 楊盛際;董學;陳小川;玄明花;盧鵬程;韓衛鋒;王慧娟;于靜;劉英麗;于立民 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;G06F3/041;G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種OLED觸控顯示面板的制作方法,包括制作TFT背板的方法;其特征在于,所述制作方法還包括:
在所述TFT背板上,通過構圖工藝形成多個擋墻,每個所述擋墻限定出一個觸控區;
在形成有所述擋墻的TFT背板上,形成陰極層;所述陰極層被所述擋墻分隔出多個相互絕緣的自電容電極,每個所述自電容電極位于一個所述觸控區內,且與所述觸控區的形狀相匹配。
2.根據權利要求1所述的OLED觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,還包括在所述TFT背板上,且位于所述觸控區內形成多個隔墊物。
3.根據權利要求2所述的OLED觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,所述隔墊物與所述擋墻采用同一次構圖工藝形成,且構成所述擋墻和所述隔墊物的材料為負性光刻膠。
4.根據權利要求2或3所述的OLED觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,形成所述隔墊物的方法包括:
在所述TFT背板上,且位于所述觸控區內形成多個第一子隔墊物和多個第二子隔墊物;
所述多個第一子隔墊物呈矩陣形式排列;所述第二子隔墊物位于相鄰兩行和相鄰兩列第一子隔墊物之間;
其中,所述第一子隔墊物的延伸方向與所述第二子隔墊物的延伸方向垂直。
5.根據權利要求2所述的OLED觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,所述自電容電極在對應所述隔墊物的位置設置有通孔,所述隔墊物穿過所述通孔。
6.根據權利要求1所述的OLED觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,通過構圖工藝形成多個所述擋墻包括:每個擋墻還限定出與一個與同一所述擋墻所限定的觸控區相連接的引線區;所述引線區延伸至所述OLED觸控顯示面板的非顯示區;
在形成所述自電容電極的同時,所述方法還包括:
所述陰極層被所述擋墻分隔出多條相互絕緣的觸控引線,每條所述觸控引線位于一個所述引線區內,且與所述引線區的形狀相匹配;其中,由同一個所述擋墻分隔出的所述觸控引線與所述自電容電極電連接。
7.根據權利要求1或6所述的OLED觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,在所述TFT背板上形成所述擋墻之前,所述方法還包括:
在所述TFT背板上,通過構圖工藝形成像素定義層,所述像素定義層包括橫縱交叉的像素分隔物,以及由所述像素分隔物圍設的開口;
形成所述擋墻包括:在所述像素分隔物背離所述TFT背板的一側形成所述擋墻。
8.根據權利要求7所述的OLED觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,當所述擋墻還限定出所述引線區時,在形成所述陰極層之前,所述方法還包括形成有機材料功能層的方法:
在形成有所述像素分隔物的TFT背板上,通過構圖工藝依次形成完全覆蓋所述TFT背板顯示區的空穴注入層和空穴傳輸層;
在形成有所述空穴傳輸層的TFT背板上,通過構圖工藝在對應所述開口的位置形成有機發光層;
在形成有所述有機發光層的TFT背板上,通過構圖工藝形成完全覆蓋所述TFT背板顯示區的電子傳輸層。
9.根據權利要求8所述的OLED觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,形成所述有機發光層之前,形成有機材料功能層的方法還包括:
在形成有所述空穴傳輸層的TFT背板上,通過構圖工藝在對應所述開口的位置,形成用于調節微腔高度的襯墊層;
在形成有所述襯墊層的TFT背板上,通過構圖工藝形成完全覆蓋所述TFT背板顯示區的緩沖層。
10.根據權利要求7所述的OLED觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,在形成所述陰極層之前,所述方法還包括形成有機材料功能層的方法:
在形成有所述像素分隔物的TFT背板上,通過構圖工藝在對應所述開口的位置,依次形成空穴注入層和空穴傳輸層;
在形成有所述空穴傳輸層的TFT背板上,通過構圖工藝在對應所述開口的位置,形成有機發光層;
在形成有所述有機發光層的TFT背板上,通過構圖工藝在對應所述開口的位置,形成電子傳輸層。
11.根據權利要求10所述的OLED觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,形成所述有機發光層之前,形成有機材料功能層的方法還包括:
在形成有所述空穴傳輸層的TFT背板上,通過構圖工藝在對應所述開口的位置,依次形成用于調節微腔高度的襯墊層以及緩沖層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





