[發明專利]半導體器件及光刻膠圖案的清洗方法有效
| 申請號： | 201710328816.0 | 申請日： | 2017-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN108878254B | 公開（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發明（設計）人： | 陳彧 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律師事務所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 光刻 圖案 清洗 方法 | ||
1.一種光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，包括：
將形成于襯底表面的光刻膠圖案浸入去離子水中；
進行第一次旋轉甩干，以去除光刻膠圖案間隙中的部分去離子水；
向光刻膠圖案間隙中加入疏水溶劑，所述疏水溶劑的密度大于所述去離子水的密度；
進行第二次旋轉甩干。
2.如權利要求1所述的光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，所述第一次旋轉甩干或所述第二次旋轉甩干的轉速小于2500rpm。
3.如權利要求2所述的光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，所述第一次旋轉甩干或所述第二次旋轉甩干的轉速為200rpm-2000rpm。
4.如權利要求3所述的光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，所述第一次旋轉甩干或所述第二次旋轉甩干的轉速為800rpm-1000rpm。
5.如權利要求1所述的光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，所述疏水溶劑是易揮發型溶劑。
6.如權利要求1所述的光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，所述疏水溶劑的沸點為80℃-130℃。
7.如權利要求5或6所述的光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，所述疏水溶劑包含二氯乙烷或四氯化碳。
8.如權利要求1所述的光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，在進行第二次旋轉甩干后，進行烘烤，烘烤溫度為60℃-80℃。
9.如權利要求1所述的光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，向光刻膠圖案間隙中加入疏水溶劑采用浸入的方式進行。
10.如權利要求1所述的光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，將形成于襯底表面的光刻膠圖案浸入去離子水中之前還包括：對涂覆于襯底表面的光刻膠進行光刻，形成光刻膠圖案。
11.如權利要求10所述的光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，所述形成光刻膠圖案包括，前烘烤、曝光、后烘烤、顯影。
12.如權利要求1所述的光刻膠圖案的清洗方法，其特征在于，所述襯底為半導體襯底。
13.一種半導體器件，其特征在于，在制造所述半導體器件的過程中采用如權利要求1-12任一項所述的光刻膠圖案的清洗方法進行清洗。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司，未經中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710328816.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
