[發(fā)明專利]一種塑料基材無(wú)鉻金屬化方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710328733.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107326414B | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 喬永亮;林志敏;蔣義鋒;黃先杰;張先超;謝國(guó)亮;黃賢明;謝英偉;楊玉祥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門建霖健康家居股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C25D5/56 | 分類號(hào): | C25D5/56;C25D3/12;C23C14/20;C23C14/02;C23C28/02 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 溫旭;郭錦輝 |
| 地址: | 361000 福*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 塑料 基材 金屬化 方法 | ||
1.一種塑料基材無(wú)鉻金屬化方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)對(duì)塑料基材進(jìn)行預(yù)處理;
2)對(duì)經(jīng)過所述步驟1)預(yù)處理的塑料基材進(jìn)行物理氣相沉積(PVD)金屬化,并依次進(jìn)行物理氣相沉積(PVD)等離子體清洗,鍍結(jié)合層和面層;其中,
所述物理氣相沉積(PVD)等離子體清洗的工藝條件為:偏壓300~500V,占空比50%~80%,氬氣流速200~500SCCM,爐內(nèi)真空壓力0.1~0.3Pa,時(shí)間7~15min;
所述鍍結(jié)合層的工藝條件為采用中頻電源或直流電源濺射,采用中頻電源其電流為200~500A,電壓為300~600V,沉積時(shí)間為3~10min,偏壓70~150V,占空比50%~60%,氬氣流速50~150SCCM;采用直流電源濺射其電源電流為2~10A,沉積時(shí)間為3~10min,偏壓70~150V,占空比50%~60%,氬氣流速50~150SCCM;
所述鍍面層的工藝條件為采用中頻電源或直流電源濺射,采用中頻電源其電流為200~500A,電壓為300~600V,沉積時(shí)間為30~60min,偏壓70~150V,占空比50%~60%,氬氣流速50~150SCCM;采用直流電源濺射電源其電流為2~10A,沉積時(shí)間為30~60min,偏壓70~150V,占空比50%~60%,氬氣流速50~150SCCM;
3)對(duì)經(jīng)過所述步驟2)處理的塑料基材直接進(jìn)行接鍍層電鍍;
4)對(duì)經(jīng)過所述步驟3)處理的塑料基材進(jìn)行所需相應(yīng)的電鍍處理工藝處理。
2.如權(quán)利要求1所述的一種塑料基材無(wú)鉻金屬化方法,其特征在于,在步驟1)中,所述預(yù)處理,是采用常規(guī)除蠟、除油處理或干式清潔工藝中的一種。
3.如權(quán)利要求2所述的一種塑料基材無(wú)鉻金屬化方法,其特征在于,所述采用干式清潔工藝具體方法是采用干冰處理,臨界二氧化碳處理,碳?xì)淝逑捶椒ㄖ械闹辽僖环N。
4.如權(quán)利要求1所述的一種塑料基材無(wú)鉻金屬化方法,其特征在于,在步驟2)中所述鍍結(jié)合層所用靶材為純硅或硅合金;所述鍍面層所用靶材為純硅或硅合金。
5.如權(quán)利要求4所述的一種塑料基材無(wú)鉻金屬化方法,其特征在于,所述硅合金為硅鎳合金或硅銅合金。
6.如權(quán)利要求1所述的一種塑料基材無(wú)鉻金屬化方法,其特征在于,在步驟3)中,所述接鍍層電鍍采用電鍍鎳工藝。
7.如權(quán)利要求6所述的一種塑料基材無(wú)鉻金屬化方法,其特征在于,所述電鍍鎳的方法是以經(jīng)過步驟2)處理的塑料基材作為陰極,純鎳作為陽(yáng)極,采用電鍍鎳的配方如下:硫酸鎳230~260g/L,氯化鎳50~70 g/L,鹽酸25~45 g/L,十二烷基硫酸鈉0.01~0.02 g/L;鍍液的溫度為25~45℃,陰極電流密度為4~8A/dm2,電鍍時(shí)間為1~3min。
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