[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201710327977.8
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN107403730B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 山崎舜平;中島基;高橋正弘
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 葉曉勇;劉春元

1.一種半導體裝置，包括：

具有絕緣表面的襯底上的氧化物半導體膜；以及

各自與所述氧化物半導體膜的第一部分重疊的源電極層和漏電極層，

其中，所述氧化物半導體膜的所述第一部分中的氯濃度低于所述氧化物半導體膜的不與所述源電極層和所述漏電極層重疊的第二部分中的氯濃度，

并且，所述氧化物半導體膜的所述第二部分中的氟濃度低于或等于5x10¹⁸atoms/cm³。

2.一種半導體裝置，包括：

具有絕緣表面的襯底上的氧化物半導體膜；

各自與所述氧化物半導體膜的第一部分重疊的源電極層和漏電極層；

所述氧化物半導體膜、所述源電極層和所述漏電極層上的第一絕緣膜；以及

所述第一絕緣膜上的柵電極層，所述柵電極層與所述氧化物半導體膜重疊，

其中，所述氧化物半導體膜為島狀，

并且，所述氧化物半導體膜的所述第一部分中的氯濃度低于所述氧化物半導體膜的不與所述源電極層和所述漏電極層重疊的第二部分中的氯濃度。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體膜的所述第二部分中的氟濃度低于或等于5x10¹⁸atoms/cm³。

4.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述氧化物半導體膜具有錐形狀的側面端部。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述錐形狀的側面端部與所述源電極層和所述漏電極層重疊。

6.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述氧化物半導體膜的不與所述源電極層和所述漏電極層重疊的所述第二部分中的氯濃度低于或等于5x10¹⁸atoms/cm³。

7.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述氧化物半導體膜的不與所述源電極層和所述漏電極層重疊的所述第二部分中的銅濃度低于或等于1x10¹⁸atoms/cm³。

8.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述氧化物半導體膜的所述第二部分中的硼濃度低于或等于1x10¹⁶atoms/cm³。

9.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述氧化物半導體膜的所述第二部分中的氮濃度低于或等于1x10¹⁷atoms/cm³。

10.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述氧化物半導體膜包括銦、鋅以及選自鎵、鋁、錳、鈷、錫、鉿和鋯中的一種或多種金屬元素。