[發明專利]單晶硅的制備方法在審
| 申請號： | 201710327143.7 | 申請日： | 2017-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN107099842A | 公開（公告）日： | 2017-08-29 |
| 發明（設計）人： | 王思鋒;潘永娥 | 申請（專利權）人： | 寧夏協鑫晶體科技發展有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人： | 王樂 |
| 地址： | 755099 寧*** | 國省代碼： | 寧夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶硅 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶硅的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
在石英坩堝的內壁底部覆蓋碳酸鋇層；然后裝入硅料進行直拉單晶操作。
2.根據權利要求1所述的單晶硅的制備方法，其特征在于，所述碳酸鋇層通過將碳酸鋇粉撒在石英坩堝的內壁底部形成。
3.根據權利要求2所述的單晶硅的制備方法，其特征在于，所述碳酸鋇粉的質量為4.2g～7g。
4.根據權利要求1所述的單晶硅的制備方法，其特征在于，在裝入硅料之前，還包括在所述石英坩堝的上沿形成氫氧化鋇層。
5.根據權利要求4所述的單晶硅的制備方法，其特征在于，所述氫氧化鋇層通過噴涂形成。
6.根據權利要求5所述的單晶硅的制備方法，其特征在于，所述噴涂的噴涂液中水與氫氧化鋇的質量比為48～54：1。
7.根據權利要求5所述的單晶硅的制備方法，其特征在于，所述噴涂的厚度為0.2mm～0.6mm。
8.根據權利要求5所述的單晶硅的制備方法，其特征在于，所述噴涂的寬度為100mm～150mm。
9.根據權利要求1所述的單晶硅的制備方法，其特征在于，所述方法還包括在拉晶過程中，在提蓋子中加入碳酸鋇粉。
10.根據權利要求9所述的單晶硅的制備方法，其特征在于，在提蓋子中加入的碳酸鋇粉的質量為3.4g～4g。
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