[發明專利]顯示屏及其制造方法、以及顯示結構有效
| 申請號: | 201710326580.7 | 申請日: | 2017-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN108877663B | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 潘小和 | 申請(專利權)人: | 矽照光電(廈門)有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3225 | 分類號: | G09G3/3225;H01L27/15 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市廈門*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示屏 及其 制造 方法 以及 顯示 結構 | ||
1.一種顯示屏,其特征在于,包括透明基底,以及規則排列在所述透明基底上的多個顯示器模塊;
所述顯示器模塊的表面設有多個發光二極管陣列、以及多個非易失存貯器,每一所述發光二極管對應連接一所述非易失存貯器;
所述顯示器模塊的背面設有多個晶圓級球柵陣列封裝電極;
所述顯示器模塊設有圖像處理控制器及若干穿透電極;所述穿透電極為銅柱電極,所述銅柱電極中空設置;
圖像信號通過多個顯示器模塊的晶圓級球柵陣列電極傳導到每一個顯示器模塊中間的圖像處理控制器,再通過每一個顯示器模塊中間的穿透電極以統一協調控制驅動由多個顯示器模塊組成的單一顯示屏圖像。
2.根據權利要求1所述顯示屏,其特征在于,所述顯示器模塊的位于所述表面與所述背面之間的中部設有所述圖像處理控制器。
3.根據權利要求1所述顯示屏,其特征在于,所述顯示器模塊的所述背面設有所述圖像處理控制器。
4.根據權利要求1所述顯示屏,其特征在于,所述圖像處理控制器包括行數據驅動電路、列掃描驅動電路、信號控制電路、圖像存貯器、以及信號放大器;
所述圖像存貯器與所述信號控制電路連接;
所述信號控制電路通過所述信號放大器分別與所述行數據驅動電路以及所述列掃描驅動電路連接;
所述行數據驅動電路以及所述列掃描驅動電路分別通過若干穿透電極與所述非易失存貯器連接;
或者,所述銅柱電極遠離所述發光二極管的端部翻邊設置;
或者,所述透明基底為硅襯底,所述硅襯底上還設置若干微通道,各所述微通道分別貫穿所述硅襯底的兩側;其中,所述微通道為圓柱形,其半徑為1至5納米;
或者,所述透明基底為硅襯底,所述硅襯底上還設置若干微通道,所述微通道與所述穿透電極均為圓臺形,兩者均具有等腰梯形截面,在位于同一平面的兩個等腰梯形截面中,一個等腰梯形截面的兩條腰,分別一一對應地與另一個等腰梯形截面的兩條腰相平行。
5.根據權利要求1所述顯示屏,其特征在于,所述透明基底為透明固態基底。
6.根據權利要求5所述顯示屏,其特征在于,所述透明固態基底包括透明玻璃基底、透明塑料基底、透明藍寶石基底、以及透明薄膜基底。
7.根據權利要求5所述顯示屏,其特征在于,所述透明固態基底設置透明導電膜,所述顯示器模塊設置電極,所述透明導電膜與所述電極連接形成觸摸屏。
8.一種顯示結構,其特征在于,包括若干如權利要求1至7中任一項所述顯示屏,各所述顯示屏規則排列且無縫拼接。
9.一種顯示屏的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
硅襯底的表面刻蝕陣列模組化;
在硅襯底的表面外延生長III-V族半導體發光二極管陣列;
減薄硅襯底的背面,干深刻蝕,CVD化學金屬填充形成穿透電極;所述穿透電極為銅柱電極,所述銅柱電極中空設置;
在硅襯底的背面或表背面之間制作包括行數據驅動電路、列掃描驅動電路、信號控制電路、圖像存貯器、以及信號放大器的圖像處理控制器;
采用透明的ITO薄膜覆蓋硅襯底的表面的整個發光二極管陣列形成共同電極;
在硅襯底的背面制作球柵陣列封裝;
用熒光粉或者量子點陣列將部分藍光發光二極管二次轉換為紅光發光二極管和綠光發光二極管;
覆蓋一層SiOx透明保護層以形成有源矩陣彩色發光二極管集成顯示屏。
10.根據權利要求9所述制造方法,其特征在于,還包括步驟:將各所述顯示屏規則排列且無縫拼接。
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