[發(fā)明專利]一種具有表面光學(xué)擴散微結(jié)構(gòu)模具輥的制作工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710325813.1 | 申請日: | 2017-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN107287628B | 公開(公告)日: | 2019-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 邱曉華;王新輝 | 申請(專利權(quán))人: | 南通天鴻鐳射科技有限公司 |
| 主分類號: | C25D3/38 | 分類號: | C25D3/38;C25D5/10;C23F1/18;C25F3/22;G02B5/02 |
| 代理公司: | 北京一格知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
| 地址: | 226500 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 表面 光學(xué) 擴散 微結(jié)構(gòu) 模具 制作 工藝 | ||
本發(fā)明涉及一種具有表面光學(xué)擴散微結(jié)構(gòu)模具輥的制作工藝,所述制作工藝包括如下步驟:(1)預(yù)處理;(2)電沉積硫酸銅;(3)電沉積氟硼酸鹽銅;(4)化學(xué)刻蝕;(5)后處理。本發(fā)明的優(yōu)點在于:本發(fā)明制作工藝結(jié)合電化學(xué)沉積和化學(xué)刻蝕,通過定向調(diào)節(jié)電化學(xué)沉積參數(shù)控制金屬金相結(jié)構(gòu)和晶體大小,進一步通過合適的化學(xué)刻蝕技術(shù)剝離表面金屬,裸露出金相結(jié)構(gòu),得到類似自組織微納表面結(jié)構(gòu);此結(jié)構(gòu)具有在一定范圍里隨機的顆粒直徑分布和表面高度發(fā)布,具有很好的漫反射光學(xué)效果;該制作工藝制得的具有表面光學(xué)擴散微結(jié)構(gòu)模具輥,通過紫外成形技術(shù)制造的光學(xué)擴散膜在取得可調(diào)節(jié)的擴散性能的同時,又不會降低入射光的透過率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微納結(jié)構(gòu)和光學(xué)膜的制作技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種具有表面光學(xué)擴散微結(jié)構(gòu)模具輥的制作工藝。
背景技術(shù)
光學(xué)薄膜一般是指在光學(xué)級薄膜基材上通過真空鍍膜技術(shù)、涂布技術(shù)等各種工藝制作一層或多層介質(zhì)以改變光的波導(dǎo)特性。具有光學(xué)擴散效果的光學(xué)薄膜廣泛用于平板顯示器背光模組中。
常見的技術(shù)是利用各種具有光學(xué)擴散效果的顆粒或者片狀物涂布或者夾持在膜表面或者中間。如專利CN 100381836 C公開了一種擴散膜,其包含一基材,且至少有一基材表面包含含表面官能基的光學(xué)擴散微粒、接合劑和硬化劑的涂層,其中該光學(xué)擴散微粒是由多元醇聚合物所組成,且具有1~50μm的粒徑,該接合劑是選自由丙烯酸樹脂、聚酰胺樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂及聚酯樹脂所組成的群組;專利CN 104797962 A公開了光擴散膜,其是用于使入射光光擴散成橢圓形的光擴散膜,其中,在膜內(nèi)具有將折射率相對較高的多個薄片狀物沿著沿膜面的任一方向在折射率相對較低的區(qū)域中排列多列而成的結(jié)構(gòu)。
但是,上述兩種結(jié)構(gòu)的擴散膜存在一定的缺點:由于起擴散作用的顆粒或多或少對入射光的吸收和阻擋作用,進而會降低光線透過率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有表面光學(xué)擴散微結(jié)構(gòu)模具輥的制作工藝,該制作工藝制得的具有表面光學(xué)擴散微結(jié)構(gòu)模具輥,通過紫外成形技術(shù)制造的光學(xué)擴散膜在取得可調(diào)節(jié)的擴散性能的同時,又不會降低入射光的透過率。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種具有表面光學(xué)擴散微結(jié)構(gòu)模具輥的制作工藝,其創(chuàng)新點在于:所述制作工藝包括如下步驟:
(1)預(yù)處理:對成型的輥坯依次進行表面除油和快速鍍銅處理,得到一次預(yù)備輥;
(2)電沉積硫酸銅:將步驟(1)得到的一次預(yù)備輥進行硫酸銅電沉積處理,以含磷銅板為陽極,濃度為220~250g/L CuS04·5H2O、60~70g/L H2S04和0.5~1.5mL/L十二烷基硫酸鈉的混合液為電沉積液,設(shè)置陰極電流密度為3~10A/dm2,溶液溫度為20~40℃,實施電沉積硫酸銅,且電沉積硫酸銅在攪拌過程中進行,沉積出一層厚度為50~100μm的金相結(jié)構(gòu),得到二次預(yù)備輥;
(3)電沉積氟硼酸鹽銅:將步驟(2)得到的二次預(yù)備輥進行氟硼酸鹽銅電沉積處理,以濃度為440~450g/L Cu(BF4)2、20~30g/L H3B03和0.5~1.5mL/L pH值添加劑的混合液為電沉積液,設(shè)置陰極電流密度為10~45A/dm2,溶液溫度為20~40℃,實施電沉積氟硼酸鹽銅,且電沉積氟硼酸鹽銅在攪拌過程中進行,形成一層細密的厚度為50~100μm的金相顆粒填充,得到三次預(yù)備輥;
(4)化學(xué)刻蝕:將步驟(3)得到的三次預(yù)備輥進行化學(xué)刻蝕,剝離表面金屬層;即采用濃度為500~800mL/L的氨水和200~500mL/L的雙氧水的混合液進行刻蝕處理30~60s,處理后過5%稀磷酸溶液,并用純水徹底沖洗,使金相結(jié)構(gòu)裸露,得到四次預(yù)備輥;
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