[發明專利]一種半導體存儲器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201710325421.5
• 申請日: 2017-05-10
• 公開（公告）號: CN107134456B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 陳春暉;熊濤;羅嘯;劉釗;許毅勝;舒清明
• 申請（專利權）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/1157;H01L21/768
• 代理公司: 11332 北京品源專利代理有限公司
• 代理人: 孟金喆<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種半導體存儲器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底并在所述襯底上制備多條位線，所述多條位線沿第一方向延伸，沿第二方向排列；

在所述位線上遠離所述襯底的一側制備多條字線以及選擇柵極對，所述多條字線與所述選擇柵極對沿所述第二方向延伸，沿所述第一方向排列；所述選擇柵極對包括第一選擇柵極對和第二選擇柵極對；

在所述選擇柵極對表面制備保護膜層，所述保護膜層覆蓋所述選擇柵極對的側面以及所述選擇柵極對之間的所述位線；

刻蝕所述第一選擇柵極對側面上的保護膜層和所述第一選擇柵極對之間的所述位線上的保護膜層，以使所述第一選擇柵極對側面上的保護膜層和所述第一選擇柵極對之間的所述位線上的保護膜層的厚度小于所述第二選擇柵極對側面上的保護膜層和所述第二選擇柵極對之間的所述位線上的保護膜層的厚度；

在所述第一選擇柵極對之間制備位線接觸孔，在所述第二選擇柵極對之間制備源端接觸孔。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述保護膜層的厚度為5-10nm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述選擇柵極對表面制備保護膜層，包括：

使用化學氣相沉積或者熱氧化的方法，在所述選擇柵極對表面制備保護膜層。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述保護膜層的材料為SiN或者其他氮化物。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述選擇柵極對表面制備保護膜層，所述保護膜層覆蓋所述選擇柵極對的側面以及所述選擇柵極對之間的所述位線，包括：

在所述字線之間以及所述字線與所述選擇柵極對之間沉積第一夾層電介質層；

在所述字線、所述第一夾層電介質層以及所述選擇柵極對上制備保護膜層，所述保護膜層覆蓋所述字線和所述第一夾層電介質層的上表面，且覆蓋所述選擇柵極對的上表面、側面以及所述選擇柵極對之間的所述位線。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，沿所述第一方向，所述選擇柵極對的兩個選擇柵極之間的距離大于相鄰兩個字線之間的距離，且大于所述字線與所述選擇柵極對之間的距離；

在所述字線之間以及所述字線與所述選擇柵極對之間沉積第一夾層電介質，包括：

在所述字線之間、所述字線與所述選擇柵極對之間以及所述選擇柵極對的兩個選擇柵極之間沉積第一夾層電介質。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第一夾層電介質層的材料為氧化物-氮化物-氧化物的夾層材料或者SiO₂。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，刻蝕所述第一選擇柵極對側面上的保護膜層和所述第一選擇柵極對之間的所述位線上的保護膜層，包括：

在所述保護膜層上制備第一光刻膠層；

使用第一掩膜版對所述第一光刻膠層進行掩模，曝光后刻蝕與所述第一選擇柵極對對應的第一光刻膠層區域，以暴露出所述第一選擇柵極對側面上的保護膜層和所述第一選擇柵極對之間的所述位線上的保護膜層；

刻蝕所述第一選擇柵極對側面上的保護膜層和所述第一選擇柵極對之間的所述位線上的保護膜層。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述第一選擇柵極對之間制備位線接觸孔，在所述第二選擇柵極對之間制備源端接觸孔，包括：

在所述保護膜層上遠離所述襯底的一側制備第二夾層電介質層，所述第二夾層電介質層包覆所述保護膜層；

在所述第二夾層電介質層上制備第二光刻膠層；

使用第二掩膜版對所述第二光刻膠層進行掩模，曝光后刻蝕與所述選擇柵極對對應的第二光刻膠層區域，以暴露出所述選擇柵極對之間的所述第二夾層電介質層；

刻蝕所述選擇柵極對之間的所述第二夾層電介質層，得到第一開口和第二開口，所述第一開口位于所述第一選擇柵極對之間，所述第二開口位于所述第二選擇柵極對之間；

在所述第一開口處制備所述位線接觸孔，在所述第二開口處制備所述源端接觸孔。

10.一種半導體存儲器件，其特征在于，采用權利要求1-9任一項所述的制備方法制備得到。