[發明專利]具有源極在下配置的晶體管管芯和漏極在下配置的晶體管管芯的半導體封裝

在審

• 申請號: 201710325396.0
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN107275316A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: D·阿勒斯;M·丁克爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 黃濤,杜荔南

1.一種半導體封裝，包括：

襯底；

固定到襯底的第一晶體管管芯，第一晶體管管芯具有：源極端子，位于第一晶體管管芯的面向襯底的底側處；以及漏極端子和柵極端子，位于第一晶體管管芯的背離襯底的頂側處；

固定到襯底的第二晶體管管芯，第二晶體管管芯具有：漏極端子，位于第二晶體管管芯的面向襯底的底側處；以及源極端子和柵極端子，位于第二晶體管管芯的背離襯底的頂側處；以及

公共電連接，位于第一晶體管管芯的漏極端子和第二晶體管管芯的源極端子之間。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中襯底包括引線框架，所述引線框架包括第一管芯焊盤、第二管芯焊盤和多個焊盤，其中第一晶體管管芯的底側處的源極端子連接至第一管芯焊盤，并且其中第二晶體管管芯的底側處的漏極端子連接至第二管芯焊盤。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝，其中半導體封裝是無引線的半導體封裝，其中一個或多個焊盤形成半導體封裝的輸出端子，并且其中公共電連接包括一個或多個電導體，所述電導體將第一晶體管管芯的漏極端子和第二晶體管管芯的源極端子連接至形成半導體封裝的輸出端子的所述一個或多個焊盤。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝，其中第一組焊盤設置在半導體封裝的第一側，其中第二組焊盤設置在半導體封裝的第二側，第二側與第一側相對，其中第一和第二組焊盤形成半導體封裝的輸出端子；并且其中包括公共電連接的所述一個或多個電導體在第一端連接至所述第一組的一個或多個焊盤，并且在與第一端相對的第二端連接至所述第二組的一個或多個焊盤。

5.根據權利要求2所述的半導體封裝，其中半導體封裝是有引線的半導體封裝，其中第一和第二晶體管管芯被嵌入在模制復合物中，其中公共電連接包括金屬夾具，所述金屬夾具連接到第一晶體管管芯的漏極端子和第二晶體管管芯的源極端子，其中所述金屬夾具從模制復合物凸出，從而形成半導體封裝的輸出端子。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝，其中所述金屬夾具在所述半導體封裝的第一側從模制復合物凸出，并且在所述半導體封裝的與第一側相對的第二側從模制復合物凸出，從而在所述半導體封裝的相對兩側提供半導體封裝的輸出端子。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中襯底包括具有圖案化金屬化表面的陶瓷基底，其中第一晶體管管芯的底側處的源極端子連接至圖案化金屬化表面的第一區段，其中第二晶體管管芯的底側處的漏極端子連接至圖案化金屬化表面的第二區段，其中半導體封裝的輸出端子包括圖案化金屬化表面的第三區段，其中公共電連接包括一個或多個電導體，所述電導體將第一晶體管管芯的漏極端子和第二晶體管管芯的源極端子連接至圖案化金屬化表面的第三區段，并且其中所述金屬化表面的第一、第二和第三區段彼此電氣分離。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中公共電連接包括金屬夾具，金屬夾具連接至第一晶體管管芯的漏極端子和第二晶體管管芯的源極端子。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中公共電連接包括：第一接合線或金屬帶，其將第一晶體管管芯的漏極端子連接至半導體封裝的輸出端子；以及第二接合線或金屬帶，其將第二晶體管管芯的源極端子連接至半導體封裝的輸出端子。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括：

絕緣材料，第一和第二晶體管管芯嵌入在所述絕緣材料中；以及

結構化金屬再分配層，設置于第一和第二晶體管管芯上方的絕緣材料中，使得第一和第二晶體管管芯被插入在所述襯底和所述結構化金屬再分配層之間，

其中所述公共電連接包括所述結構化金屬再分配層的一部分。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中第一和第二晶體管管芯被嵌入模制復合物中。

12.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中第一晶體管管芯是多柵

MOSFET管芯，并且其中第二晶體管管芯是單柵MOSFET管芯。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝，其中多柵MOSFET管芯是功率FinFET管芯。