[發(fā)明專利]一種厘米級長度的金納米線陣列的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710325226.2
• 申請日: 2017-05-10
• 公開（公告）號: CN107217280A
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發(fā)明（設計）人: 徐大鵬;董菁;陳建
• 申請（專利權）人: 西安工業(yè)大學
• 主分類號: C25D1/04
• 分類號: C25D1/04;C23C14/26;C23C14/06;B82Y40/00
• 代理公司: 西安新思維專利商標事務所有限公司61114
• 代理人: 黃秦芳

1.一種厘米級長度的金納米線陣列的制備方法，其特征在于：

具體合成步驟如下：

（1）選取清潔的矩形石英玻璃片作為基底，另取石英玻璃片作為蓋片，蓋片疊置于基底表面，遮擋住基底中間4-6 cm的寬度，基底兩側的電極的寬度分別為1cm和4cm；

（2）將兩者固定并安放在蒸鍍工作臺上，按照電極面積的0.012g/cm²稱取純度為99.5%的銅粉放置于高真空電阻蒸發(fā)鍍膜機的鉬舟上，在真空度≤10^-3Pa條件下，利用真空蒸鍍法在基底兩端的表面上沉積兩片彼此平行的金膜作為電極，電極間距為4-6cm；

（3）按照基底面積的0.006 g/cm²，稱取快離子導體Rb₄Cu₁₆Cl₁₃I₇原料放置于高真空電阻蒸發(fā)鍍膜機的鉬舟上，在真空度≤10^-3Pa條件下，利用真空蒸鍍法在基底表面上沉積厚度為400nm的快離子導體Rb₄Cu₁₆Cl₁₃I₇薄膜，使其覆蓋整片基底，所述快離子導體薄膜材料由RbI（分析純，含量≥99.0%）、 CuCl（分析純，含量≥97.0%）和CuI（分析純，含量≥99.0%）按 4:13:3的摩爾比例研磨4-5h混合均勻制成；

（4）外加直流電，電流強度為3~5uA，時間48h-72h，形成金納米結構。

2.如權利要求1所述的一種厘米級長度的金納米線陣列的制備方法，其特征在于：步驟（1）中的被遮擋的基底中間寬度為5cm。