[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201710325044.5
• 申請日: 2017-05-10
• 公開（公告）號: CN108878643B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 李岱螢;吳昭誼;林榆瑄
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體結構，包括：

一存儲結構，包括：

一存儲元件，包括氧氮化鈦；

一第一阻障層，包括硅和氧化硅之中至少一者，該第一阻障層設置在該存儲元件上；

一第二阻障層，包括鈦和氧化鈦之中至少一者，該第二阻障層設置在該第一阻障層上；以及

一底電極，該存儲元件設置在該底電極上；

其中，該底電極包括氮化鈦。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該底電極具有一L形形狀。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：

一導電連接件，其中該底電極設置在該導電連接件上；

其中該底電極具有一第一寬度W1，該導電連接件具有一第二寬度W2，W1/W2＜1/2。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其中該第一寬度W1為至

5.根據權利要求3所述的半導體結構，其中該第二寬度W2為至

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該存儲元件具有一第一高度H1，該底電極具有一第二高度H2，H1/H2≤1/10。

7.一種半導體結構的形成方法，包括：

形成一存儲結構，包括：

形成一存儲元件，該存儲元件包括氧氮化鈦；

在該存儲元件上形成一第一阻障層，該第一阻障層包括硅和氧化硅之中至少一者；以及

在該第一阻障層上形成一第二阻障層，該第二阻障層包括鈦和氧化鈦之中至少一者；

其中，在形成該存儲元件之前，形成一底電極，其中該存儲元件形成在該底電極上，該底電極包括氮化鈦。

8.根據權利要求7所述的形成方法，其中形成該存儲元件的步驟包括氧化一底電極材料。

9.根據權利要求7所述的形成方法，其中形成該底電極的步驟包括：

形成一第一絕緣材料；

在該第一絕緣材料中形成一開口；

在具有該開口的該第一絕緣材料上以保形方式形成一底電極材料；

圖案化該底電極材料，使得該底電極材料的一殘留部分具有一Z形形狀，該Z形形狀包括位于該第一絕緣材料上的一部分、位于該開口的一側壁上的一部分、和位于該開口的一底部上的一部分；

在該第一絕緣材料和該底電極材料的該殘留部分上形成一第二絕緣材料，該第二絕緣材料填充至該開口中；以及

進行一平坦化工藝，使得位于該第一絕緣材料上的該第二絕緣材料、和該底電極材料的該殘留部分中位于該第一絕緣材料上的該部分被移除。