[發明專利]線路接收器以及驅動負載的方法有效
| 申請號: | 201710324590.7 | 申請日: | 2017-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN107453757B | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 拉米·阿瓦德 | 申請(專利權)人: | 聯發科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03M1/12 | 分類號: | H03M1/12;H03M1/38 |
| 代理公司: | 北京市萬慧達律師事務所 11111 | 代理人: | 王蕊;白華勝 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 線路 接收器 以及 驅動 負載 方法 | ||
1.一種線路接收器,其特征在于,包括:
緩沖器,用于在第一時間段接收模擬信號,并根據所述接收的模擬信號提供輸出信號給負載,其中,所述緩沖器包括至少兩個晶體管;
電容元件,始終耦接于所述至少兩個晶體管的柵極之間,用于在所述第一時間段向所述至少兩個晶體管的所述柵極提供直流信號;
第一開關,耦接于所述電容元件的一端,用于在第二時間段將所述電容元件耦接于直流參考電壓;以及
第二開關,耦接于所述電容元件的所述一端,用于在所述第一時間段將所述模擬信號提供給所述緩沖器和所述電容元件。
2.如權利要求1所述的線路接收器,其特征在于,所述線路接收器還包括:
第三開關,用于將所述緩沖器耦接于所述負載。
3.如權利要求1所述的線路接收器,其特征在于,所述第一時間段和所述第二時間段不重疊。
4.如權利要求1所述的線路接收器,其特征在于,所述至少兩個晶體管包括P溝道金屬氧化物半導體晶體管和N溝通金屬氧化物半導體晶體管。
5.如權利要求1所述的線路接收器,其特征在于,還包括:
控制電路,耦接于所述第一開關,用于在所述第二時間段將所述第一開關放置到導電狀態。
6.如權利要求1所述的線路接收器,其特征在于,所述負載包括模擬-數字轉換器。
7.如權利要求1所述的線路接收器,其特征在于,所述直流參考電壓小于1V。
8.一種線路接收器,其特征在于,包括:
模擬-數字轉換器;
源極跟隨電路,耦接于所述模擬-數字轉換器,用于在第一時間段使用模擬信號驅動所述模擬-數字轉換器,其中,所述源極跟隨電路包括至少兩個晶體管;
電容元件,始終耦接于所述至少兩個晶體管的柵極之間,用于在所述第一時間段向所述至少兩個晶體管的所述柵極提供直流信號;
第一開關,耦接于所述電容元件的一端,用于在第二時間段將所述電容元件耦接于直流參考電壓;以及
第二開關,耦接于所述電容元件的所述一端,用于在所述第一時間段將所述模擬信號提供給所述源極跟隨器和所述電容元件。
9.如權利要求8所述的線路接收器,其特征在于,所述電容元件在一個線性區間內偏置所述源極跟隨電路。
10.如權利要求8所述的線路接收器,其特征在于,所述第一開關用于在所述第二時間段將所述電容元件充電為小于1V的直流參考電壓。
11.如權利要求8所述的線路接收器,其特征在于,還包括:
控制電路,耦接于所述第一開關,用于在所述第二時間段將所述開關放置到導電狀態。
12.如權利要求8所述的線路接收器,其特征在于,所述至少兩個晶體管包括P溝道金屬氧化物半導體晶體管和N溝通金屬氧化物半導體晶體管。
13.如權利要求12所述的線路接收器,其特征在于,所述N溝通金屬氧化物半導體晶體管為第一N溝通金屬氧化物半導體晶體管,所述P溝道金屬氧化物半導體晶體管為第一P溝道金屬氧化物半導體晶體管,所述線路接收器還包括:
偏置電路,耦接于所述電容元件,所述偏置電路包括第二P溝道金屬氧化物半導體晶體管和第二N溝通金屬氧化物半導體晶體管。
14.如權利要求12所述的線路接收器,其特征在于,所述P溝道金屬氧化物半導體晶體管和所述N溝通金屬氧化物半導體晶體管通過源極彼此耦接。
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