[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710324502.3
• 申請(qǐng)日: 2017-05-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107527954B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐佐木俊成;渡壁創(chuàng);花田明纮;鹽川真里奈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日本顯示器
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導(dǎo)體裝置，具有：

氧化物半導(dǎo)體層；

上述氧化物半導(dǎo)體層的上方的柵極電極；

上述氧化物半導(dǎo)體層與上述柵極電極之間的柵極絕緣層；

第1絕緣層，處于上述氧化物半導(dǎo)體層的上方，設(shè)有第1開(kāi)口部；

布線，處于上述第1絕緣層上，包含鋁層，經(jīng)由上述第1開(kāi)口部電連接于上述氧化物半導(dǎo)體層；

阻擋層，將上述第1絕緣層上、上述布線上及上述布線的側(cè)面覆蓋，包含氧化鋁；以及

上述阻擋層上的有機(jī)絕緣層，

上述阻擋層與上述布線在上述布線上及上述布線的側(cè)面接觸，

上述鋁層在上述鋁層的靠阻擋層側(cè)具有氧混入?yún)^(qū)域，

上述布線還具有第1導(dǎo)電層及第2導(dǎo)電層，

上述鋁層和上述氧混入?yún)^(qū)域配置在上述第1導(dǎo)電層與上述第2導(dǎo)電層之間，

上述氧混入?yún)^(qū)域中混入有Ar。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還具有：

上述有機(jī)絕緣層上的第1電極；

第2電極，對(duì)置于上述第1電極，經(jīng)由設(shè)在上述有機(jī)絕緣層上的第2開(kāi)口部電連接于上述布線；以及

第2絕緣層，將上述第1電極與上述第2電極電絕緣，使上述第2開(kāi)口部及上述有機(jī)絕緣層的上表面露出。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述阻擋層對(duì)于水、氫或氨的透過(guò)率比上述第2絕緣層對(duì)于水、氫或氨的透過(guò)率低。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第2電極將通過(guò)上述第2開(kāi)口部露出的上述有機(jī)絕緣層的上表面覆蓋。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述有機(jī)絕緣層的上表面的一部分從上述第2電極及上述第2絕緣層露出。

6.一種半導(dǎo)體裝置，具有：

柵極電極；

上述柵極電極的上方的氧化物半導(dǎo)體層；

上述柵極電極與上述氧化物半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣層；

第1絕緣層，處于上述柵極電極的上方，設(shè)有第1開(kāi)口部；

布線，處于上述第1絕緣層上，包含鋁層，經(jīng)由上述第1開(kāi)口部電連接于上述氧化物半導(dǎo)體層；

阻擋層，將上述第1絕緣層上、上述布線上及上述布線的側(cè)面覆蓋，包含氧化鋁；以及

上述阻擋層上的有機(jī)絕緣層，

上述阻擋層與上述布線在上述布線上及上述布線的側(cè)面接觸，

上述鋁層在上述鋁層的靠阻擋層側(cè)具有氧混入?yún)^(qū)域，

上述布線還具有第1金屬層及第2金屬層，

上述鋁層和上述氧混入?yún)^(qū)域配置在上述第1金屬層與上述第2金屬層之間，

上述氧混入?yún)^(qū)域中混入有Ar。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，還具有：

上述有機(jī)絕緣層上的第1電極；

第2電極，對(duì)置于上述第1電極，經(jīng)由設(shè)置于上述有機(jī)絕緣層的第2開(kāi)口部電連接于上述布線；以及

第2絕緣層，將上述第1電極與上述第2電極電絕緣，使上述第2開(kāi)口部及上述有機(jī)絕緣層的上表面露出。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述阻擋層對(duì)于水、氫或氨的透過(guò)率比上述第2絕緣層對(duì)于水、氫或氨的透過(guò)率低。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第2電極將通過(guò)上述第2開(kāi)口部露出的上述有機(jī)絕緣層的上表面覆蓋。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述有機(jī)絕緣層的上表面的一部分從上述第2電極及上述第2絕緣層露出。