[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的外延片及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710324137.6
• 申請(qǐng)日: 2017-05-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107331744B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉華容;萬(wàn)林;胡加輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層，所述發(fā)光層包括多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層，所述多個(gè)量子阱層和所述多個(gè)量子壘層交替層疊設(shè)置，所述量子壘層為氮化鎵層，其特征在于，所述多個(gè)量子阱層中與所述N型氮化鎵層距離最近的至少三個(gè)所述量子阱層為第一量子阱層，所述多個(gè)量子阱層中除所述第一量子阱層之外的所述量子阱層為第二量子阱層，所述第一量子阱層為未摻雜的銦鎵氮層，所述第二量子阱層包括P型摻雜的銦鎵氮層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，每個(gè)所述第二量子阱層包括依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層，所述第二子層為P型摻雜的銦鎵氮層，所述第一子層和所述第三子層為未摻雜的銦鎵氮層，所述第一子層的厚度和所述第三子層的厚度相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延片，其特征在于，所述第二子層的厚度為0.8～1.2nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，每個(gè)所述第二量子阱層中P型摻雜劑的摻雜濃度保持不變。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，所述多個(gè)第二量子阱層中P型摻雜劑的摻雜濃度沿所述外延片的層疊方向逐層增加。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，所述第二量子阱層的層數(shù)大于或等于5。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，所述量子阱層的厚度為1～5nm。

8.一種發(fā)光二極管的外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層；

其中，所述發(fā)光層包括多個(gè)量子阱層和多個(gè)量子壘層，所述多個(gè)量子阱層和所述多個(gè)量子壘層交替層疊設(shè)置，所述量子壘層為氮化鎵層，所述多個(gè)量子阱層中與所述N型氮化鎵層距離最近的至少三個(gè)所述量子阱層為第一量子阱層，所述多個(gè)量子阱層中除所述第一量子阱層之外的所述量子阱層為第二量子阱層，所述第一量子阱層為未摻雜的銦鎵氮層，所述第二量子阱層包括P型摻雜的銦鎵氮層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述量子阱層的生長(zhǎng)溫度為750～850℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光層的生長(zhǎng)壓力為200～400torr。