[發(fā)明專利]溝槽肖特基二極管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710324047.7
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN107195692B
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余強;焦偉;桑雨果;姚鑫;張小辛
• 申請（專利權(quán)）人: 華潤微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/328
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種溝槽肖特基二極管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

1)提供一硅基底，于所述硅基底中形成多個具有第一寬度的第一溝槽以及至少一個位于終端的具有第二寬度的第二溝槽，所述第二寬度大于所述第一寬度；

2)于所述第一溝槽、第二溝槽及硅基底的表面形成介質(zhì)層；

3)于所述第一溝槽及第二溝槽中沉積多晶硅，直至填滿所述第一溝槽，然后對所述多晶硅進行平坦化至露出所述硅基底上表面的介質(zhì)層；

4)去除所述硅基底上表面的介質(zhì)層，露出硅基底的上表面，所述第二溝槽中保留多晶硅及介質(zhì)層，其中，采用濕法腐蝕工藝去除所述硅基底上表面的介質(zhì)層，藉由所述多晶硅保護的第二溝槽中的介質(zhì)層被保留，且所述第一溝槽中及所述第二溝槽中的多晶硅高于所述硅基底的上表面；

5)于所述硅基底上表面形成肖特基金屬層，并形成肖特基結(jié)；

6)制作上金屬電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽肖特基二極管的制作方法，其特征在于：步驟1)中，通過控制所述第二溝槽的第二寬度或/及其表面的介質(zhì)層的厚度，以控制所述溝槽肖特基二極管的終端的降壓能力。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽肖特基二極管的制作方法，其特征在于：步驟1)中，所述第二寬度不小于3倍的第一寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的溝槽肖特基二極管的制作方法，其特征在于：步驟1)中，所述第二寬度為所述第一寬度的5～10倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽肖特基二極管的制作方法，其特征在于：步驟2)中，采用熱氧化方法于所述第一溝槽、第二溝槽及硅基底的上表面形成二氧化硅層，作為介質(zhì)層，所述二氧化硅層的厚度為50nm～1000nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽肖特基二極管的制作方法，其特征在于：步驟5)中，采用快速熱處理方法或爐退火的方法所述肖特基金屬層與所述硅基底的界面形成金屬硅化物，以形成肖特基結(jié)；所述肖特基金屬層的材料包括Pt、Ni、Ti、Cr、W、Mo及Co中的一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽肖特基二極管的制作方法，其特征在于：步驟6)中，所述上金屬電極連接各肖特基結(jié)并延伸至所述第二溝槽內(nèi)，并終止于所述第二溝槽底部的多晶硅上。