[發明專利]電路結構及其驅動方法、神經網絡

有效

• 申請號: 201710322907.3
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN107122828B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 李辛毅;吳華強;宋森;張清天;高濱;錢鶴
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G06N3/063
• 分類號: G06N3/063
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種電路結構，包括：至少一個電路單元，

每個所述電路單元包括第一組阻變器件和第二組阻變器件，所述第一組阻變器件包括阻值漸變器件，所述第二組阻變器件包括阻值突變器件，所述第一組阻變器件和第二組阻變器件串聯連接，在未加電壓的情況下，所述第一組阻變器件的阻值大于所述第二組阻變器件的阻值。

2.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述阻值漸變器件具有第一阻值，所述阻值突變器件具有第二阻值，在未加電壓的情況下，所述第一阻值的范圍為1-100兆歐，所述第二阻值的范圍為1-1000千歐。

3.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述阻值漸變器件包括層疊的第一氧化物層和第二氧化物層，所述第一氧化物層的氧含量高于第二氧化物層的氧含量。

4.根據權利要求3所述的電路結構，其中，所述第一氧化物層的材料為五氧化二鉭或氧化鋁，所述第二氧化物層的材料為二氧化鉭。

5.根據權利要求3所述的電路結構，其中，所述阻值漸變器件還包括第一電極層和第二電極層，

所述第一氧化物層和第二氧化物層設置在所述第一電極層和第二電極層之間，且

所述第一電極層與所述第一氧化物層電連接，所述第二電極層與所述第二氧化物層電連接。

6.根據權利要求5所述的電路結構，其中，所述第一電極層的材料為活性金屬。

7.根據權利要求6所述的電路結構，其中，所述活性金屬為鋁、鎳、或鈦。

8.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述阻值突變器件包括層疊的第三電極層、第三氧化物層和第四電極層，所述第三氧化物層設置在所述第三電極層和第四電極層之間。

9.根據權利要求8所述的電路結構，其中，所述第三氧化物層的材料為五氧化二鉭、二氧化釩或二氧化鈮。

10.根據權利要求8所述的電路結構，其中，所述第三電極層的材料為惰性金屬。

11.根據權利要求10所述的電路結構，其中，所述惰性金屬為鉑、釕、銥或鈀。

12.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述第一組阻變器件包括至少一個所述阻值漸變器件，所述第二組阻變器件包括至少一個所述阻值突變器件，且所述阻值漸變器件和所述阻值突變器件一一對應串聯連接。

13.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述第一組阻變器件包括多個所述阻值漸變器件，所述第二組阻變器件包括一個所述阻值突變器件，多個所述阻值漸變器件對應一個所述阻值突變器件，且分別與該一個所述阻值突變器件串聯連接。

14.根據權利要求13所述的電路結構，其中，在未加電壓的情況下，至少兩個所述阻值漸變器件的阻值不相同。

15.根據權利要求13所述的電路結構，其中，至少兩個所述阻值漸變器件并聯連接。

16.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述第一組阻變器件包括一個所述阻值漸變器件，所述第二組阻變器件包括多個所述阻值突變器件，一個所述阻值漸變器件對應多個所述阻值突變器件，且與該多個所述阻值突變器件分別串聯連接。

17.根據權利要求16所述的電路結構，其中，至少兩個所述阻值突變器件的閾值電壓不相同。

18.根據權利要求16所述的電路結構，其中，至少兩個所述阻值突變器件并聯連接。