[發(fā)明專利]采用CSP芯片和倒裝藍(lán)光LED芯片封裝的白光LEDCOB的結(jié)構(gòu)及制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710322332.5
• 申請(qǐng)日: 2017-05-09
• 公開（公告）號(hào): CN107039411A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫國(guó)喜;申崇渝;石建青;劉國(guó)旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 易美芯光（北京）科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京和信華成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11390
• 代理人: 胡劍輝

1.采用CSP芯片和倒裝藍(lán)光LED芯片封裝的白光LED COB的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：倒裝藍(lán)光LED芯片、低色溫CSP光源、高色溫?zé)晒夥酃枘z；

多串所述倒裝藍(lán)光LED芯片并聯(lián)，多串所述低色溫CSP光源并聯(lián)；多串并聯(lián)的所述倒裝藍(lán)光LED芯片共同連接至一個(gè)正極和一個(gè)負(fù)極，形成多串倒裝藍(lán)光LED芯片電路；多串并聯(lián)的所述低色溫CSP光源共同連接至一個(gè)正極和一個(gè)負(fù)極，形成多串低色溫CSP光源電路；所述多串倒裝藍(lán)光LED芯片電路和所述多串低色溫CSP光源電路形成雙電路結(jié)構(gòu)；

或者多串并聯(lián)的所述倒裝藍(lán)光LED芯片和多串并聯(lián)的所述低色溫CSP光源并聯(lián)后共同連接至一個(gè)正極和一個(gè)負(fù)極，形成由多串倒裝藍(lán)光LED芯片和多串低色溫CSP光源構(gòu)成的單電路結(jié)構(gòu)；

所述雙電路結(jié)構(gòu)或所述單電路結(jié)構(gòu)分別通過(guò)回流焊焊接并均勻分布在COB基板上，所述COB基板上設(shè)有電路層和阻焊層，所述雙電路結(jié)構(gòu)或所述單電路結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)所述COB基板上的電路分別與對(duì)應(yīng)的電極相連；

在所述雙電路結(jié)構(gòu)或所述單電路結(jié)構(gòu)的周圍區(qū)域設(shè)有由白色圍壩膠構(gòu)成的圍壩，所述圍壩內(nèi)的空白區(qū)域內(nèi)填充有所述高色溫?zé)晒夥酃枘z，形成所述白光LED COB結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用CSP芯片和倒裝藍(lán)光LED芯片封裝的白光LED COB的結(jié)構(gòu)，其特征在于，

當(dāng)形成所述單電路結(jié)構(gòu)時(shí)，多串并聯(lián)的所述倒裝藍(lán)光LED芯片的總線上串聯(lián)有電阻或者三極管，或者多串并聯(lián)的所述低色溫CSP光源的總線上串聯(lián)有電阻或者三極管，或者二條總線上同時(shí)串聯(lián)有電阻或者三極管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用CSP芯片和倒裝藍(lán)光LED芯片封裝的白光LED COB的結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述倒裝藍(lán)光LED芯片及低色溫CSP光源在所述COB基板上均勻分布或者根據(jù)需求排布。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用CSP芯片和倒裝藍(lán)光LED芯片封裝的白光LED COB的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低色溫CSP光源的色溫范圍為1500K-7500K，所述COB基板的可調(diào)色色溫范圍為1200K-7000K。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用CSP芯片和倒裝藍(lán)光LED芯片封裝的白光LED COB的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低色溫CSP光源的結(jié)構(gòu)是在所述倒裝藍(lán)光LED芯片表面覆蓋一層混有熒光粉的硅膠膜，其四周及底部漏出。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用CSP芯片和倒裝藍(lán)光LED芯片封裝的白光LED COB的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低色溫CSP光源表面涂覆的混有熒光粉的硅膠膜的厚度范圍為0.05mm-0.3mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用CSP芯片和倒裝藍(lán)光LED芯片封裝的白光LED COB的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述倒裝藍(lán)光LED芯片為倒裝GaN藍(lán)光LED芯片，其主波長(zhǎng)為450-460nm。

8.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的白光LED COB結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1)將多串所述倒裝藍(lán)光LED芯片和多串述低色溫CSP光源分別并聯(lián)，之后分別連接至一個(gè)正極和一個(gè)負(fù)極，形成所述雙電路結(jié)構(gòu)；或者將多串并聯(lián)的所述倒裝藍(lán)光LED芯片和多串并聯(lián)的所述低色溫CSP光源并聯(lián)后，再共同連接至一個(gè)正極和一個(gè)負(fù)極，形成所述單電路結(jié)構(gòu)；

步驟2)將所述雙電路結(jié)構(gòu)或者單電路結(jié)構(gòu)通過(guò)回流焊焊接在所述COB基板上；

步驟3)將所述正極和負(fù)極與所述COB基板上的線路串聯(lián)或者并聯(lián)，之后分別與對(duì)應(yīng)的電極相連；

步驟4)采用白色圍壩膠將所述雙電路結(jié)構(gòu)區(qū)域或單電路結(jié)構(gòu)區(qū)域圍壩，之后在所述圍壩區(qū)域內(nèi)填充高色溫?zé)晒夥酃枘z；

步驟5)通過(guò)對(duì)所述倒裝藍(lán)光LED芯片和低色溫CSP光源進(jìn)行電流調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)所述COB基板上的光源調(diào)色。

9.根據(jù)權(quán)利要6所述的制備方法，其特征在于，步驟1)中，形成所述單電路結(jié)構(gòu)時(shí)，還包括：

在多串并聯(lián)的所述倒裝藍(lán)光LED芯片的總線上串聯(lián)電阻或者三極管，或者在多串并聯(lián)的所述低色溫CSP光源的總線上串聯(lián)所述電阻或者三極管，或者在二條總線上同時(shí)串聯(lián)所述電阻或者三極管。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟5)中，對(duì)所述倒裝藍(lán)光LED芯片和低色溫CSP光源進(jìn)行電流調(diào)節(jié)具體包括：

對(duì)所述雙電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)節(jié)具體包括：當(dāng)?shù)寡b藍(lán)光LED芯片電流增大時(shí)，低色溫CSP光源的電流減小時(shí)，COB基板由冷色溫逐漸變成暖色溫；當(dāng)?shù)蜕珳谻SP光源關(guān)閉時(shí)，所述COB基板達(dá)到最高色溫，反之，所述COB基板由冷色溫逐漸變成暖色溫；當(dāng)所述倒裝藍(lán)光LED芯片關(guān)閉時(shí)，所述COB基板達(dá)到最低色溫。

對(duì)所述單電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)節(jié)具體包括：將電路中電流調(diào)節(jié)至較小時(shí)，電阻或三極管上電壓較小，倒裝藍(lán)光LED芯片所在的暖色溫線路上分配到的電流比例大，發(fā)出暖色溫的光；當(dāng)將電路中電流調(diào)節(jié)增大時(shí)，電阻或三極管上電壓增大，低色溫CSP光源所在的冷色溫線路上分配到的電流比例大，發(fā)出更多冷色溫的光。