[發明專利]射頻集成電路器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710322135.3
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN108878385B
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 王曉川
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王仙子

1.一種射頻集成電路器件，其特征在于，所述射頻集成電路器件包括：

第一半導體層，其具有第一界面和第二界面，所述第一半導體層厚度小于3微米；

第一介電質層，其通過第一界面與第一半導體層相依附；

半導體器件，其位于第一半導體層和第一介電質層內；

第二介電質層，其通過第二界面與第一半導體層相依附，所述第二介電質層厚度小于1微米；以及

散熱片體，制備于第二介電質層與所述第一半導體層相背的表面，用于為所述半導體器件散熱；

所述散熱片體包括第一散熱片體，所述第一散熱片體位于所述半導體器件在所述第二介電質層表面的垂直投影區域；所述第一散熱片體采用介電質材料，以避免引入對所述半導體器件產生的附加電學感應及寄生效應，所述第一散熱片體的導熱系數為所述第二介電質層的5倍以上；

所述散熱片體還包括與所述第一散熱片體物理連接的第二散熱片體，所述第二散熱片體制備于所述半導體器件在所述第二介電質層表面的垂直投影區域之外，所述第二散熱片體采用導熱效率較所述第一散熱片體更高的金屬；

所述散熱片體還包括與所述第二散熱片體物理連接的第三散熱片體，所述第三散熱片體為合金焊球或焊接線。

2.根據權利要求1所述的射頻集成電路器件，其特征在于，所述半導體器件包括N個第一晶體管，所述N為自然數。

3.根據權利要求2所述的射頻集成電路器件，其特征在于，第一半導體層包含至少一個被淺溝槽隔離區所環繞隔離的第一半導體片體，所述第一晶體管制備于第一半導體片體與第一介電質層內。

4.根據權利要求3所述的射頻集成電路器件，其特征在于，所述第一半導體片體由硅或含硅半導體構成。

5.根據權利要求1所述的射頻集成電路器件，其特征在于，所述第二介電質層由氧化物、氮化物、硅氧化物及硅氮化物中的一種或其組合構成。

6.根據權利要求1所述的射頻集成電路器件，其特征在于，所述第一散熱片體由含氮介電質、含氧介電質、硼氮化物、含鋁化合物、含銅化合物中的一種或其組合構成。

7.根據權利要求1所述的射頻集成電路器件，其特征在于，所述第一散熱片體由鋁氮化物和/或類金剛石碳構成。

8.根據權利要求1所述的射頻集成電路器件，其特征在于，進一步包括一個制備于第二介電質層與第一半導體層相背的表面的第三介電質層，所述第三介電質層部分或全部覆蓋所述散熱片體。

9.根據權利要求1所述的射頻集成電路器件，其特征在于，所述第二散熱片體由金屬薄膜構成，所述金屬薄膜包含鋁、銅、鈦、鈷、鎳、鉬、錫、鉛、鎘、銀、金、白金中其一或其合金。

10.根據權利要求1所述的射頻集成電路器件，其特征在于，所述第二散熱片體由含氮介電質、含氧介電質、硼氮化物、鋁、含鋁化合物、銅、含銅化合物及類金剛石碳中的一種或其組合構成。

11.根據權利要求1所述的射頻集成電路器件，其特征在于，所述散熱片體還包括一制備于第二介電質層與第一半導體層相背的表面，且與所述第二散熱片體相連接的第三散熱片體。