[發明專利]靜電放電保護電路

有效

• 申請號: 201710321504.7
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN108879632B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 鄭嘉士;蔡青霖
• 申請（專利權）人: 奇景光電股份有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H01L27/02
• 代理公司: 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種靜電放電保護電路，其特征在于，包括：

一硅控整流保護電路，設置于系統電壓與接地電壓之間，該硅控整流保護電路包括：

一硅控整流器，包括：

一第一雙載子接面晶體管，其第一極耦接至該硅控整流器的正極；以及

一第二雙載子接面晶體管，其第一極耦接至該第一雙載子接面晶體管的基極，基極耦接至該第一雙載子接面晶體管的第二極，第二極耦接至該硅控整流器的負極；

至少一第一二極管，其正極耦接至一第一電壓，負極耦接至該硅控整流器的該正極；以及

至少一第二二極管，其正極耦接至該第一雙載子接面晶體管的該基極，負極耦接至該硅控整流器的該負極；

一輸入接墊；以及

一中空二極管，設置于該輸入接墊與該系統電壓之間或該輸入接墊與該接地電壓之間，

其中該中空二極管包括第一參雜區與第二參雜區，其中該第一參雜區的參雜類型不同于該第二參雜區的參雜類型，

其中該第二參雜區圍繞該第一參雜區，并且該第一參雜區圍繞一中空區域，

其中該硅控整流器還包括：

一基板，具有一第一井區與一第二井區，其中該第一井區圍繞該第二井區，并且該第一井區的參雜類型不同于該第二井區的參雜類型；

一第一電極，形成于該第二井區之上，其中該第一電極的參雜類型相同于該第二井區的該參雜類型；

一第二電極，形成于該第二井區之上并圍繞該第一電極，其中該第二電極的參雜類型不同于該第二井區的該參雜類型，并且該第一電極與該第二電極耦接至該硅控整流器的該負極；

一第三電極，形成于該第一井區之上并圍繞該第二電極，其中該第三電極的參雜類型不同于該第一井區的該參雜類型；以及

一第四電極，形成于該第一井區之上并圍繞該第三電極，其中該第四電極的參雜類型相同于該第一井區的該參雜類型，并且該第三電極與該第四電極耦接至該硅控整流器的該正極。

2.根據權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，其中該硅控整流器的該負極耦接至一第二電壓，該靜電放電保護電路還包括：

一第三二極管，其正極耦接至該第二電壓，負極耦接至該第一電壓。

3.根據權利要求2所述的靜電放電保護電路，其特征在于，還包括：

一第四二極管，其正極耦接至該第二電壓，負極耦接至一第三電壓；以及

一第五二極管，其正極耦接至該第三電壓，負極耦接至該第二電壓。

4.根據權利要求3所述的靜電放電保護電路，其特征在于，還包括：

一第六二極管，其正極耦接至該第三電壓，負極耦接至該第一電壓。

5.根據權利要求3所述的靜電放電保護電路，其特征在于，還包括：

一第七二極管，其正極耦接至該第二電壓，負極耦接至一第四電壓。

6.根據權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，其中該第一參雜區的一寬度大于等于2微米。

7.根據權利要求6所述的靜電放電保護電路，其特征在于，其中該第一參雜區的輪廓具有一第一邊與一第二邊，該第一邊與該第二邊的交界形成一弧形部位。

8.根據權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，其中該第一參雜區的輪廓為圓形。

9.根據權利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于，其中該第一參雜區的輪廓為n邊形，n為大于4的正整數。