[發(fā)明專利]靜電放電保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710321504.7
• 申請(qǐng)日: 2017-05-09
• 公開（公告）號(hào): CN108879632B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭嘉士;蔡青霖
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奇景光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H02H9/04
• 分類號(hào): H02H9/04;H01L27/02
• 代理公司: 11006 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐金國<國際申請(qǐng)>=<國際公布>=<進(jìn)入

1.一種靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，包括：

一硅控整流保護(hù)電路，設(shè)置于系統(tǒng)電壓與接地電壓之間，該硅控整流保護(hù)電路包括：

一硅控整流器，包括：

一第一雙載子接面晶體管，其第一極耦接至該硅控整流器的正極；以及

一第二雙載子接面晶體管，其第一極耦接至該第一雙載子接面晶體管的基極，基極耦接至該第一雙載子接面晶體管的第二極，第二極耦接至該硅控整流器的負(fù)極；

至少一第一二極管，其正極耦接至一第一電壓，負(fù)極耦接至該硅控整流器的該正極；以及

至少一第二二極管，其正極耦接至該第一雙載子接面晶體管的該基極，負(fù)極耦接至該硅控整流器的該負(fù)極；

一輸入接墊；以及

一中空二極管，設(shè)置于該輸入接墊與該系統(tǒng)電壓之間或該輸入接墊與該接地電壓之間，

其中該中空二極管包括第一參雜區(qū)與第二參雜區(qū)，其中該第一參雜區(qū)的參雜類型不同于該第二參雜區(qū)的參雜類型，

其中該第二參雜區(qū)圍繞該第一參雜區(qū)，并且該第一參雜區(qū)圍繞一中空區(qū)域，

其中該硅控整流器還包括：

一基板，具有一第一井區(qū)與一第二井區(qū)，其中該第一井區(qū)圍繞該第二井區(qū)，并且該第一井區(qū)的參雜類型不同于該第二井區(qū)的參雜類型；

一第一電極，形成于該第二井區(qū)之上，其中該第一電極的參雜類型相同于該第二井區(qū)的該參雜類型；

一第二電極，形成于該第二井區(qū)之上并圍繞該第一電極，其中該第二電極的參雜類型不同于該第二井區(qū)的該參雜類型，并且該第一電極與該第二電極耦接至該硅控整流器的該負(fù)極；

一第三電極，形成于該第一井區(qū)之上并圍繞該第二電極，其中該第三電極的參雜類型不同于該第一井區(qū)的該參雜類型；以及

一第四電極，形成于該第一井區(qū)之上并圍繞該第三電極，其中該第四電極的參雜類型相同于該第一井區(qū)的該參雜類型，并且該第三電極與該第四電極耦接至該硅控整流器的該正極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，其中該硅控整流器的該負(fù)極耦接至一第二電壓，該靜電放電保護(hù)電路還包括：

一第三二極管，其正極耦接至該第二電壓，負(fù)極耦接至該第一電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，還包括：

一第四二極管，其正極耦接至該第二電壓，負(fù)極耦接至一第三電壓；以及

一第五二極管，其正極耦接至該第三電壓，負(fù)極耦接至該第二電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，還包括：

一第六二極管，其正極耦接至該第三電壓，負(fù)極耦接至該第一電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，還包括：

一第七二極管，其正極耦接至該第二電壓，負(fù)極耦接至一第四電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，其中該第一參雜區(qū)的一寬度大于等于2微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，其中該第一參雜區(qū)的輪廓具有一第一邊與一第二邊，該第一邊與該第二邊的交界形成一弧形部位。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，其中該第一參雜區(qū)的輪廓為圓形。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)電路，其特征在于，其中該第一參雜區(qū)的輪廓為n邊形，n為大于4的正整數(shù)。