[發(fā)明專利]一種半橋功率半導(dǎo)體模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710321481.X
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN106971992B
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭凱;范偉;金肩舸;王曉元;楊進峰;李彥涌
• 申請（專利權(quán)）人: 中車株洲電力機車研究所有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H02M1/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

1.一種半橋功率半導(dǎo)體模塊，其特征在于，包括：

位于底層的半導(dǎo)體芯片組；

位于頂層的低感復(fù)合母排，所述低感復(fù)合母排的兩側(cè)分別延伸設(shè)置有交流接口和正負層接口，所述低感復(fù)合母排包括疊層設(shè)置的負層母排、正層母排和交流層母排；

位于中間層相互并聯(lián)的若干匯流母排組，其中，各所述匯流母排組的底端和所述半導(dǎo)體芯片組中的相應(yīng)半導(dǎo)體芯片連接，各所述匯流母排組的頂部匯流端和所述低感復(fù)合母排的對應(yīng)母排連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊，其特征在于，各所述匯流母排組均包括：

正匯流母排，所述正匯流母排的底端引腳和所述半導(dǎo)體芯片組中的對應(yīng)上管芯片的集電極連接，所述正匯流母排的頂部匯流端和所述正層母排連接；

負匯流母排，所述負匯流母排的底端引腳和所述半導(dǎo)體芯片組中的對應(yīng)下管芯片的發(fā)射極連接，所述負匯流母排的頂部匯流端和所述負層母排連接；

交流匯流母排，所述交流匯流母排的底端引腳和所述半導(dǎo)體芯片組中的對應(yīng)上管芯片和下管芯片的公共極連接，所述交流匯流母排的頂部匯流端和所述交流層母排連接；其中，所述公共極為所述上管芯片的發(fā)射極或所述下管芯片的集電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的模塊，其特征在于，各所述匯流母排組中的正匯流母排、負匯流母排和交流匯流母排相互平行，且相鄰的兩個匯流母排之間設(shè)有絕緣部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模塊，其特征在于，所述匯流母排組的底端的各管腳為兩層折彎管腳。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的模塊，其特征在于，所述低感復(fù)合母排上設(shè)有預(yù)設(shè)數(shù)目的接口孔，所述匯流母排組的頂部的各匯流端設(shè)有和對應(yīng)的接口孔配合插接的匯流端凸起。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的模塊，其特征在于，在所述正匯流母排的相鄰兩個引腳之間的預(yù)設(shè)位置設(shè)置有一個延伸方向背離各所述引腳的所述匯流端凸起。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的模塊，其特征在于，在所述負匯流母排的相鄰兩個引腳之間的預(yù)設(shè)位置設(shè)置有一個延伸方向背離各所述引腳的所述匯流端凸起。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的模塊，其特征在于，在所述交流匯流母排的相鄰兩個引腳之間的預(yù)設(shè)位置設(shè)置有一個延伸方向背離各所述引腳的所述匯流端凸起。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的模塊，其特征在于，所述低感復(fù)合母排上設(shè)有若干用于在所述負層母排、正層母排和交流層母排之間灌封絕緣層的通孔。